MBR30100CT

Yangjie
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 30 А, с падением напряжения 800 мВ, ёмкостью перехода 600 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR30100CT (LIT)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
A- MBRL30100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A- MBRU30100CTA (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A- MBR40100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR30100CT THRU MBR30200CT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MBR30100CT MBR30150CT MBR30200CT MBR30100CT MBR30150CT MBR30200CT VRRM V IO A 30 IFSM A 250 I2t As 176 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃， 100 150 2 200 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS IFM=15.0A MBR30100CT MBR30150CT MBR30200CT 0.85 0.9 0.8 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=125℃ 0.1 20 1/4 S-B1156 Rev.1.0,14-Jan-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR30100CT 

Microsoft Word - MBR30100CT THRU MBR30200CT-双晶105.doc

Дата модификации: 14.01.2019

Размер: 147.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)