MG160TT12MSN3

SUNCOYJ
MG160TT12MSN3 IGBT RoHS COMPLIANT Modules VCES IC 1200V 160A Applications ·Solar inverter ·Active frontend ·UPS Circuit Features ·Mixed voltage NPC topology ·Reactive power capability ·Low inductance layout ·Split output ·Common collector neutral connection  IGBT- Q1/Q2 Absolute Maximum Ratings Parameter Collector-Emitter Voltage Symbol V CES Conditions VGE=0V, IC=1mA, Tvj=25℃ Va...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Примечания
Корпус N3
Максимальная рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
MG160TT12MSN3 IGBT RoHS COMPLIANT Modules VCES IC 1200V 160A Applications ·Solar inverter ·Active frontend ·UPS Circuit Features ·Mixed voltage NPC topology ·Reactive power capability ·Low inductance layout ·Split output ·Common collector neutral connection  IGBT- Q1/Q2 Absolute Maximum Ratings Parameter Collector-Emitter Voltage Symbol V CES Conditions VGE=0V, IC=1mA, Tvj=25℃ Value Unit 1200 V 160 A Implemented Collector Current ICN Repetitive Peak Collector Current ICRM tp=1ms 320 A Gate-Emitter Voltage VGES Tvj=25℃ ±20 V Total Power Dissipation Ptot Tc=25℃ Tvjmax=175℃ 830 W S-M517 Rev.1.1,14-Sep-23 www.21yangjie.com 1 PDF
Документация на MG160TT12MSN3 

Дата модификации: 11.11.2024

Размер: 879.4 Кб

11 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 января 2024
    новость

    Гибридные IGBT-модули SUNCOYJ c интегрированными SiC-диодами для эффективных инверторов

    Компания SUNCOYJ, являющаяся одним из ведущих разработчиков и производителей полупроводников в Китае, анонсировала выпуск новых модулей IGBT (таблица 1), предназначенных для построения инверторов переменного или постоянного тока. Данные модули... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MG100HF065TLC1 (YJ)