Гибридные IGBT-модули SUNCO c интегрированными SiC-диодами для эффективных инверторов

16 января

управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC DiodeHybrid IGBTкомпактный корпусэнергоэффективностьдайджест 1

Компания SUNCO, являющаяся одним из ведущих разработчиков и производителей полупроводников в Китае, анонсировала выпуск новых модулей IGBT (таблица 1), предназначенных для построения инверторов переменного или постоянного тока. Данные модули рекомендуется применять в преобразователях солнечной энергии, однако они также отлично подойдут для любых применений, требующих высокой частоты переключений и низких потерь мощности.

Модули выполнены в корпусах N2, N3, P3S и P4M (рисунок 1). Интегрированные антипараллельные карбид-кремниевые диоды обеспечивают высокую эффективность преобразования благодаря уменьшению потерь на включение.

Особенности новых модулей:

  • максимальное напряжение интегрированных транзисторов составляет 1200 В для инверторов мощностью 60…80 кВт и 650 В для инверторов мощностью до 110 кВт;
  • два варианта внутренней топологии: для классических повышающих (Boost) преобразователей и для трехуровневых преобразователей T-типа (T-Type Three Level);
  • интегрированные антипараллельные карбид-кремниевые диоды с быстрым восстановлением;
  • малые потери переходных процессов и напряжение насыщения транзистора повышают эффективность инверторов солнечных панелей и иных приложений;
  • максимальная температура кристалла 175°C;
  • В качестве подложек, обеспечивающих эффективный отвод тепла и изоляцию, используются DBC (Direct Bonded Copper) для корпуса P3S, медь для корпусов N2 и N3 и IMS (Insulated Metal Substrate) для корпуса P4M.

Рис. 1. Внешний вид модулей в корпусах: а) N2; б) N3; в) P3S, г) P4M

Рис. 1. Внешний вид модулей в корпусах: а) N2; б) N3; в) P3S, г) P4M

Таблица 1. Новые IGBT-модули производства компании SUNCO

Наименование Напряжение, В Ток, А Корпус Топология
MG150ZD12TFP3S_110 1200 150 P3S Boost
MG150ZD12TFP3S_101
MG160TT12MSN2 160 N2 T-Type Three Level
MG160TT12MSN3 N3
MG200TT12MSP3S 200 P3S T-Type Three Level
MG225ZD12TFP3S 225 Boost
MG230ZD12TFP3S 230
MG400TL065MSP4M 650 400 P4M T-Type Three Level
MG450TL065MSN3 450 N3
•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCO

Компания SUNCO – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовления ...читать далее

Товары
Наименование
MG150ZD12TFP3S_110 (YJ)
 
MG150ZD12TFP3S_101 (YJ)
 
MG160TT12MSN2 (YJ)
 
MG160TT12MSN3 (YJ)
 
MG200TT12MSP3S (YJ)
 
MG225ZD12TFP3S (YJ)
 
MG230ZD12TFP3S (YJ)
 
MG400TL065MSP4M (YJ)
 
MG450TL065MSN3 (YJ)