MUR1060

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.6 В, ёмкостью перехода 40 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- G3S06510A (GPT)
 
TO220AC в линейках 500 шт — —
A- MURL1560 (YJ)
 
TO220AC в линейках 50 шт
 
A- G4S06510AT (GPT)
 
TO220AC — —
A- MUR15H60L (JSCJ)
 
TO220AC 1000 шт
 
 —
A- G4S06515AT (GPT)
 
TO220AC в линейках 100 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MUR1060 COMPLIANT Ultra-Fast Recovery Diodes 10A FRED Pt Features ● Adopt FRED chip ● Low forward Voltage drop ● Fast reverse recovery time ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-220AC Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Tj=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT MUR1060 MUR1060 Device marking code Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Tc(FIG.1) Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Tj=25℃ VRRM V 600 IO A 10 IFSM A 120 2 Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃， It 2 As 60 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Junction capacitance @4V,1MHz Cj pF 40 1/5 S-B1612 Rev.1.2,30-Apr-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MUR1060 

Microsoft Word - MUR1060

Дата модификации: 30.04.2021

Размер: 192.8 Кб

5 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    19 мая 2025
    новость

    Нулевые потери или высокая устойчивость: SiC Шоттки против традиционных быстрых диодов

    Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC–диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем... ...читать

    17 декабря 2024
    статья

    Силовые полупроводниковые компоненты SUNCO для индустриальных источников питания

    Компоненты SUNCO идеально подходят для создания мощных индустриальных источников питания, в том числе – работающих в сложных температурных условиях. Компания предлагает двунаправленные супрессоры для входных цепей, диоды для выпрямительных мостов,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)