MUR1060D

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.6 В, ёмкостью перехода 40 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MUR1660D (YJ)
 
TO252
 
P= MURL860D (YJ)
 
TO252
 
P= MURSL860D (YJ)
 
TO252
 
 —
A- G3S06510C (GPT)
 
TO252 в ленте 100 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MUR1060D COMPLIANT Ultra-Fast Recovery Diodes 10A FRED Pt Pin 2 Features ● Adopt FRED chip ● Low forward Voltage drop ● Fast reverse recovery time ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability Typical Applications Pin 1 Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Pin 3 Mechanical Data ● Package: TO-252 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Tj=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT MUR1060D MUR1060D Device marking code Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Tc(FIG.1) Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Tj=25℃ VRRM V 600 IO A 10 IFSM A 120 2 Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃， It 2 As 60 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Junction capacitance @4V,1MHz Cj pF 40 1/5 S-B1613 Rev.1.2,30-Apr-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MUR1060D 

Microsoft Word - MUR1060D

Дата модификации: 30.04.2021

Размер: 218.9 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    19 мая 2025
    новость

    Нулевые потери или высокая устойчивость: SiC Шоттки против традиционных быстрых диодов

    Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC–диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)