MURS320B

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 920 мВ, ёмкостью перехода 63 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS320B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
A- SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- ES3DB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- HS3DB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- SS320BQ (YJ)
 
DO214AA
 
A- UG3DB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- US3D SMBG (JSCJ)
 
DO214AA
 
A- ES3DB (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- SK320B (TSC)
 
DO214AA 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- PU3DBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- PU6DBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MURS320B THRU MURS360B COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MURS320B MURS340B MURS360B MURS320B MURS340B MURS360B 200 400 600 VRRM V IO A 3.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 100 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum reverse recovery time Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MURS320B VF V IFM=3.0A 0.92 1.25 trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 50 IRRM μA MURS340B Ta =25℃ 5 Ta =125℃ 50 MURS360B 1/5 S-S756 Rev. 2.4,10-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MURS320B 

Microsoft Word - MURS320B THRU MURS360B

Дата модификации: 10.12.2019

Размер: 236.1 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.