P4SMA47CAQ

Yangjie
RoHS COMPLIANT P4SMA6.8AQ THRU P4SMA220CAQ Surface Mount Transient Voltage Suppressor Diodes Uni-directional Features ● Low-profile package ● Ideal for automated placement ● Available in Uni-directional and Bi-directional ● 400 W peak pulse power capability with a 10/1000 µs waveform ● Excellent clamping capability ● Low incremental surge resistance ● Very fast response time ● Meets MSL lev...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
Примечание Trans Voltage Suppressor Diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- SMBJ40CA (DC)
 

SMBJ40CA/TR13 (YAG)
SMBJ40CA (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 40 В; Uогр(ном): 47 ... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- 1.5KE47CA (YJ)
 
DO201AE в ленте 1250 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 40.2V V(RWM), Bidirectional
A- SMAJ40CA (DC)
 

SMAJ40CA/TR13 (YAG) 		DO214AC в ленте 7500 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс: 3.3 Вт; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 40 В; Uогр(ном): 4... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 1.5KE47C (DC)
 
DO-204AC DO-15 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 38.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- 1.5KE47CA (DC)
 
DO204AC в коробках 500 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 40.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- P6SMB47CA (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- P4SMA47CA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 40.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P6KE47CA (TSC)
 

P6KE47CA (ONS-FAIR) 		DO204AC 3500 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15

Файлы 1

показать свернуть
RoHS COMPLIANT P4SMA6.8AQ THRU P4SMA220CAQ Surface Mount Transient Voltage Suppressor Diodes Uni-directional Features ● Low-profile package ● Ideal for automated placement ● Available in Uni-directional and Bi-directional ● 400 W peak pulse power capability with a 10/1000 µs waveform ● Excellent clamping capability ● Low incremental surge resistance ● Very fast response time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● ESD protection of data lines in accordance with IEC 61000-4-2, 30kV(Air),30kV (Contact) ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Bi-directional Typical Applications For use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer, automotive, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: For uni-directional types the band denotes cathode end, no marking on bi-directional types ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Max PPPM W 400 Peak pulse current, with a 10/1000us waveform(1) IPPM A See Next Table Power dissipation, Ta=25℃ PD W 1.25 Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave unidirectional only (2) IFSM A 40 TJ ℃ -55 to +175 TSTG ℃ -55 to +175 SYMBOL UNIT VALUE Maximum instantaneous forward voltage @ at 25A for unidirectional only (3) VF V 3.5 Maximum instantaneous forward voltage @ at 1A for unidirectional only VF V 1.5 Peak power dissipation, with a 10/1000us waveform (1) (2) (Fig.1) Operating junction Storage temperature range ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER 1/6 S-S2688 Rev.1.5,30-Dec-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на P4SMA100AQ 

Microsoft Word - P4SMA6.8AQ THRU P4SMA220CAQ

Дата модификации: 30.12.2022

Размер: 295.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)