Вход / Регистрация

RYBSM8008F1

SUNCO
RoHS RYBSM8006 THRU RYBSM8010 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballaster, adapter, battery charger, home appliances, office equipm...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS RYBSM8006 THRU RYBSM8010 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballaster, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: YBS3 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, Halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V RYBSM8006 RYBSM8008 RYBSM8010 RYBSM8006 RYBSM8008 RYBSM8010 600 800 1000 Average rectified output current @60Hz sine wave, R-load, Tc=90℃ Surge(non-repetitive)forward current @60Hz sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode IO A 8.0 IFSM A 180 I2t A2s 134 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOLUNIT Maximum instantaneous VF forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at IRRM rated DC blocking voltage per diode Reverse Recovery Time Trr RYBSM8006 TEST CONDITIONS RYBSM8008 RYBSM8010 1.3 V IFM=4.0A μA Tj=25℃ @VRM=VRRM ns IF=0.5A,IR=1A,IRR=0.25 A Rating of per diode 5 500 1/5 S-B2281 Rev.1.0,28-Apr-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на RYBSM8006F1 

Microsoft Word - RYBSM8006 THRU RYBSM8010

Дата модификации: 29.04.2021

Размер: 215.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)