ABS10

RoHS ABS2 THRU ABS10 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SODIL
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Case ABS, Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= TB10S-10 (SHIKUES)
 
SMD4
 

Файлы 2

показать свернуть
RoHS ABS2 THRU ABS10 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: ABS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, Halogen free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ABS2 ABS4 ABS6 ABS8 ABS10 ABS2 ABS4 ABS6 ABS8 ABS10 Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage VRMS V 140 280 420 560 700 VDC V 200 400 600 800 1000 IO A IFSM A Maximum DC blocking Voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, R-load, Tc=135℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 1.0 35 70 Current squared time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode I2t A2s Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 5.1 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Typical junction capacitance Cj pF ABS2 ABS4 ABS6 IFM=0.5A 0.95 Tj =25℃ 5 Tj =125℃ 100 Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 12 ABS8 ABS10 1/4 S-S005 Rev. 2.3, 16-Aug-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ABS10 

Microsoft Word - ABS2 THRU ABS10

Дата модификации: 22.08.2023

Размер: 218.8 Кб

4 стр.

RoHS ABS2 THRU ABS10 COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: ABS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, Halogen free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ABS2 ABS4 ABS6 ABS8 ABS10 ABS2 ABS4 ABS6 ABS8 ABS10 200 400 600 800 1000 ABS8 ABS10 VRRM V IO A 1.0 IFSM A 35 It 2 A2s 5 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, R-load, Ta=40℃,on Alumina Substrate Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VF IRRM V TEST CONDITIONS ABS2 ABS4 ABS6 0.95 IFM=0.5A μA VRM=VRRM 5 1/4 S-S005 Rev. 2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ABS10 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 16.07.2018

Размер: 682.9 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.