SF12G

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 18 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SF12 (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- SR1100 (YJ)
 
DO41 в ленте 1000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- 1N4002 (DC)
 

1N4002 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41
A- HER102G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- SR1100L (YJ)
 
DO41
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SF11G THRU SF18G COMPLIANT Super Fast Recovery Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SF11G SF12G SF13G SF14G SF15G SF16G SF17G SF18G SF11G SF12G SF13G SF14G SF15G SF16G SF17G SF18G Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 Maximum DC blocking Voltage VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =60℃ IF(AV) A IFSM A Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ 1.0 30 Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 60 Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃,Rating of per diode I2t A2s Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C Cj pF Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 3.735 18 12 9 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) UNIT TEST CONDITIONS SF11G SF12G SF13G SF14G SF15G SF16G SF17G SF18G PARAMETER SYMBOL Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Maximum reverse recovery time trr ns IFM=1.0A 0.95 1.3 Tj =25℃ 2.5 Tj =125℃ 100 IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 1.7 1/4 S-A148 Rev.2.2, 30-Jan-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SF11GC1 

Microsoft Word - SF11G THRU SF18G

Дата модификации: 01.02.2021

Размер: 213.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.