YJB130G10A

SUNCO
RoHS YJB130G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 130A ＜5mΩ ＜6mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy M...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJB130G10A
  • Корпус: TO263
  • Норма упаковки: 800  шт.

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P- WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- CRSS042N10N (CRMICRO)
 
— 1 шт
 
P- WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- CJB110SN10 (JSCJ)
 
TO2632L
P- WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- NCE0157A2 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- NCE01H10 (NCE)
 
TO-220-3
 
P- NCEP039N10D (NCE)
 
TO263
 
P- CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB130G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 130A ＜5mΩ ＜6mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 16 TA=25℃ TA=100℃ Drain Current 10 ID TC=25℃ 82 Pulsed Drain Current A B IDM 520 A EAS 360 mJ 2.7 TA=25℃ TA=100℃ Total Power Dissipation C A 130 TC =100℃ Avalanche energy Unit 1.1 PD TC=25℃ W 190 77 TC =100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 35 45 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.5 0.65 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB130G10A F2 YJB130G10A 800 / 8000 13“ reel 1/8 S-E191 Rev.1.1,02-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB130G10A 

Microsoft Word - YJB130G10A Rev1.1

Дата модификации: 23.01.2024

Размер: 347.4 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.