NCE0157A2

Pb Free Product NCE0157A2 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =57A RDS(ON) < 14.5mΩ @ VGS=10V Schematic diagram (Typ:12.5mΩ) ● Special process technolog...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 33

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- CS540A8 (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 
P- IRF540N (YOUTAI)
 

IRF540N (IR)
TO220AB в линейках 1000 шт
 
P- JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
P- IRF3710 (YOUTAI)
 

IRF3710 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
P- IRL540N (YOUTAI)
 

IRL540N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK175N10LG4 (WAYON)
 
 
P- YJP45G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK175N10HG4 (WAYON)
 
в линейках 50 шт
 
P- WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ YJN60G10B (YJ)
 
TO-247-3 в линейках 20 шт
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ CRTT088N10N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ NCEP11N10AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ JMSH1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMSL1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ JMSH1008AE (JIEJIE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJD65G10B (YJ)
 
TO252

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE0157A2 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 03.11.2022

Размер: 683.9 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.