YJB70G10AF2
RoHS
YJB70G10A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
100V
70A
<8.6 mohm
<11 mohm
General Description
● Low RDS(on) & FOM
● Extremely low switching loss
● Excellent stability and uniformity
● Fast switching and soft recovery
Applications
● Power switch...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: YJB70G10A (YJ)
- Корпус: TO263
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO263 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PH | YJB70G10A (YJ) | TO263 | 800 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJB70G10AF2
Microsoft Word - YJB70G10A Rev3.1
Дата модификации: 22.10.2020
Размер: 1.56 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.