YJD112010PG1

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1200 В, ток до 16 А, с падением напряжения 1.51 В, ёмкостью перехода 768.3 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Silicon Carbide Schottky Diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC010120NNI (WAYON)
 
TO220AC в линейках 50 шт
 
 — — — —
P= WSRSIC015120NNI (WAYON)
 
— 50 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= G5S12015A (GPT)
 
TO220AC в линейках 10 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD112010PG1 COMPLIANT Silicon Carbide Schottky Diode VRRM 1200V IF（135°C） 16A QC 54.1nC Features ● Positive temperature coefficient ● Temperature-independent switching ● Maximum working temperature at 175 °C ● Unipolar devices and Zero reverse recovery current ● Zero forward recovery current ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● High-frequency operation ● Reduction of EMI Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO-220AC Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT Device marking code VALUE D112010PG1 Reverse voltage (repetitive peak) @ Tj=25°C VRRM V 1200 Reverse voltage (Surge Peak) @ Tj=25°C VRSM V 1200 Reverse voltage (DC) @ Tj=25°C VDC V 1200 33 Continuous forward current @ Tc=25°C Continuous forward current @ Tc=135°C IF A Continuous forward current @ Tc=157°C 10 Non-repetitive peak forward surge current @ Tc=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave IFSM A PTOT W Power Dissipation@ Tc=25°C 85 192 Power Dissipation@ Tc=110°C 83 i2t Value@ Tc=25°C ,tp=10ms Operating junction and Storage temperature range S-SIC007 Rev.1.0, 30-Sep-21 16 ∫i2dt A2 S 36 Tj ,Tstg °C -55 to +175 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD112010PG1 

Microsoft Word - YJD112010PG1

Дата модификации: 30.09.2021

Размер: 563.8 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)