YJT300G10HJ

SUNCOYJ
RoHS YJT300G10HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100 V 300 A ＜1.45mΩ ＜1.9mΩ General Description ● Surface-mounted package ● Excellent package for heat dissipation ● High Density Cell Design for Low RDS(on) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets U...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 4000  шт.

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJT300G10HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100 V 300 A ＜1.45mΩ ＜1.9mΩ General Description ● Surface-mounted package ● Excellent package for heat dissipation ● High Density Cell Design for Low RDS(on) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Applications ● High power inverter system ● Uninterruptible power supply ● LCDM appliances ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 30 TA=25℃ 19 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 300 TC =100℃ 190 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 1200 A EAS 480 mJ 4.15 TA=25℃ 1.65 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 500 TC =100℃ 200 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 20 30 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.2 0.25 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJT300G10HJ F1 YJT300G10HJ 2000 4000 20000 13“ reel 1/8 S-E262 Rev.1.1,18-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJT300G10HJ 

Дата модификации: 21.11.2022

Размер: 731.6 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 февраля 2024
    новость

    Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств

    Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП–транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.