Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств
8 февраля
Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП-транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость. Транзисторы семейства N100V (таблица 1) предлагаются в двух вариантах корпусов (рисунок 1).
Благодаря значительному коммутируемому току при малых потерях и высокому значению напряжения «сток-исток» новые MOSFET N100V отлично подходят для систем управления аккумуляторными батареями (BMS), накопителей энергии и других сфер применения, где требуется преобразование или коммутация энергии значительной мощности.
Рис. 1. Внешний вид корпусов TO-247 (а) и TOLL (б)
Общие параметры новых MOSFET N100V:
- N-канал;
- напряжение «сток-исток», VDS: 100 В;
- максимальное напряжение затвора, VGS: ±20 В;
- производство по современной технологии Split Gate Trench.
Таблица 1. Характеристики транзисторов новой серии N100V
| Наименование | Ток стока ID при Tc = 25°C, А | Номинальное пороговое напряжение затвора Vth, В | Сопротивление перехода Rdson при VGS =10 В, мОм | Общий заряд затвора Qg, нКл | Диапазон рабочих температур кристалла Tj, °C | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Ном. | Макс. | ||||||
| YJN280G10H | 280 | 2,8 | 2 | 2,6 | 257 | -55…150 | TO-247 |
| YJN290N10H | 290 | 2,6 | 1,8 | 2,4 | 166 | -55…175 | TO-247 |
| YJT300G10A | 300 | 2,6 | 1,2 | 1,55 | 166 | -55…175 | TOLL |
| YJT300G10H | 300 | 2,8 | 1,35 | 1,7 | 257 | -55…175 | TOLL |
Компания SUNCOYJ – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников.
Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовлени ...читать далее
Наши информационные каналы