4N35

UMW R UMW 4Nxx Description The 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, 4N38 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options. Features  High isolation 5000 VRMS  DC input with transistor output  Operating temperature range - 55 °C to ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DIP-6
Тип выхода
Количество выходов
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Напряжение изоляции
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Выход Каналов U вых I вых U изол. t вкл t выкл T раб CTR Примечания Карточка
товара
P= 4N35 (LIT)
 

4N35 (ONS-FAIR)
4N35 (BRO/AVAG)
DIP-6 в линейках 65 шт
 
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 3550V Isolation
P= 4N35M (LIT)
 

4N35M (ONS-FAIR)
DIP-6 в линейках 540 шт
 
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 3550V Isolation
P= LTV-4N35 (LIT)
 
DIP6300 в линейках 65 шт
 
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 3550V Isolation

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.