SMBJ30A

UMW
TVS-диод; однонаправленный; SMB (DO-214AA); Пиковый импульсный ток: 12.4 А; Обратный ток утечки: 1 мкА; Максимальное напряжение фиксации: 48.4 В; Обратное напряжение VRWM: 30 В; Напряжение пробоя: 33.3...36.8 В; Рабочая температура: -55...150 С
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид серии SMBJ
  • Группа: Защитные диоды  
  • Серия: SMBJ  
  • Альт. имя: SMBJ30A/TR7 (YAG)
  • Истор. имя: SMBJ30A (DIODES)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 750  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- SMAJ30A (YJ)
 

SMAJ30A/TR7 (YAG) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMBJ30A (YJ)
 

SMBJ30A/TR7 (YAG)
SMBJ30A (DIODES) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Unidirectional
A- SMBJ30A-TR (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 —
A- SMCJ30A (YJ)
 

SMCJ30A (ONS-FAIR) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW SMBJ5.0A(CA) THRU SMBJ188A(CA) 5V-188V 600W FEATURES • • • • • • • • • • SMB(DO-214AA) Low profile package Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Available in uni-directional and bi-directional 600 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 % Excellent clamping capability Very fast response time Low incremental surge resistance Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code: base P/NHE3 or P/NHM3 Cathode Band 0.086(2.20) 0.155(3.94) 0.077(1.95) 0.130(3.30) 0.180(4.57) 0.160(4.06) 0.012(0.305) 0.006(0.152) 0.096(2.44) 0.084(2.13) 0.060(1.52) 0.030(0.76) 0.008(0.2) 0(0) 0.220(5.59) 0.205(5.21) MECHANICAL DATA Case: SMB (DO-214AA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, commercial grade Base P/NHE3 - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified Base P/NHM3 - halogen-free, RoHS-compliant, and AEC-Q101 qualified Terminals: matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102 E3, M3, HE3, and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test Polarity: for uni-directional types the band denotes cathode end, no marking on bi-directional types Dimensions in inches and (millimeters) PRIMARY CHARACTERISTICS VBR (bi-directional) 6.4 V to 231 V VBR (uni-directional) 6.4 V to 231 V VWM 5.0 V to 188 V PPPM 600 W IFSM (uni-directional only) 100 A TJ max. 150 °C Polarity Uni-directional, bi-directional Package SMB (DO-214AA) DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS For bi-directional devices use CA suffix (e.g. SMBJ10CA). Electrical characteristics apply in both directions. MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted) PARAMETER Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform (1)(2) (fig. 1) Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform (1) Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2) Operating junction and storage temperature range SYMBOL VALUE UNIT PPPM 600 W IPPM See next table A IFSM 100 A TJ, TSTG -55 to +150 °C Notes (1) Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T = 25 °C per fig. 2 A (2) Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на SMBJ33CA 

UMW SMBJ5.0A(CA) THRU SMBJ188A(CA)

Дата модификации: 23.10.2022

Размер: 581.3 Кб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    24 ноября 2022
    новость

    TVS-диоды SUNCO поступили на склад КОМПЭЛ

    Большая партия TVS–диодов производства компании SUNCO пополнила склад КОМПЭЛ. На сегодняшний день SUNCO является крупнейшим в КНР производителем полного цикла, выпускающим дискретные силовые полупроводники. Основанная в 2000 г. в городе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)