Серия биполярных транзисторов MMBT3906

JSCJ

Общие характеристики

 Раздел Биполярный транзистор
Корпус SOT-523
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току

Документация на серию MMBT3906

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3906T SOT-523 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Epitaxial Planar Die Construction z Complementary NPN Type Available z Also Available in Lead Free Version z 1. BASE 2. EMITTER MARKING:3N 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO Parameter Value Units Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current -Continuous -200 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW RƟJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 833 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-40V,IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 -0.1 μA Collector cut-off current ICEX VCB=-30V,VBE(off)=-3V -0.05 μA hFE(1) VCE=-1V,IC=-0.1mA hFE(2) VCE=-1V,IC=-1mA 80 hFE(3) VCE=-1V,IC=-10mA 100 hFE(4) VCE=-1V,IC=-50mA 60 hFE(5) VCE=-2V,IC=-100mA 30 VCE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA -0.25 V VCE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA -0.4 V VBE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA -0.85 V VBE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA -0.95 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency fT VCE=-20V,IC=-10mA,f=100MHz 60 -0.65 300 250 MHz Collector output capacitance Cobo VCB=-5V,IE=0,f=1MHz 4.5 Input capacitance Ciob VEB=-0.5V,IE=0,f=1MHz 10 pF Noise figure NF VCE=-5V,Ic=0.1mA, f Ω VCC=-3V, VBE(OFF)=-0.5V IC=-10mA , IB1=-1mA 4 dB 35 nS 35 nS 225 nS 75 nS Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf www.jscj-elec.com VCC=-3V, IC=-10mA IB1= IB2=-1mA 1 pF Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT3906T 

Microsoft Word - MMBT3906T _SOT-523_.doc

Дата модификации: 11.05.2020

Размер: 661 Кб

4 стр.

    Товары серии MMBT3906

    Наименование i Упаковка
    MMBT3906T (JSCJ)
     

    MMBT3906T (ONS-FAIR)
     
    		 в ленте 3000 шт

    MMBT3906 публикации

    27 апреля 2024
    статья

    Альтернатива есть: широкий ассортимент полупроводниковых компонентов JIEJIE доступен со склада КОМПЭЛ

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Сотрудничество КОМПЭЛ и китайской компании JIEJIE, лидирующей в области разработки и производства полупроводниковых компонентов, дает возможность заменить недоступную продукцию других производителей. В... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать