Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

30 января

управление питаниемJSCJновостьдискретные полупроводникиSMDДиодный мостбиполярный транзисторстабилитронцифровой транзистор

Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря чему предлагает широчайший ассортимент продукции: от дискретных полупроводников до микросхем.

Дискретные компоненты JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ, и в настоящее время можно приобрести следующие категории товаров этого бренда:

  • стабилитроны в SMD-корпусах SOD-123, SOD-323, SOD-523 и SOT-23 (таблица 1);
  • биполярные транзисторы в корпусах TO-92 для сквозного монтажа и в корпусах SOT-23, SOT-323, SOT-223 для поверхностного (таблица 2). Многие из них образуют комплементарную пару, рекомендованную изготовителем;
  • сборки из двух биполярных резисторов в миниатюрном корпусе SOT-363 (таблица 3);
  • транзисторы с интегрированными резисторами (Resistor-Equipped Transistor, Digital Transistor или Bias Resistor Transistor) в корпусе SOT-23 (таблица 4);
  • диодные мосты в SMD-корпусе DBS (таблица 5).

Все компоненты имеют диапазон температур перехода Tj = -55…150°C.

Таблица 1. Стабилитроны JSCJ

Наименование Напряжение стабилизации при токе 5 мА, В Максимальный ток утечки Мощность рассеивания, мВт Корпус
Мин. Ном. Макс. IR, мкА VR, В
BZT52C3V3 3,1 3,3 3,5 5 1,0 500
SOD-123
BZT52C3V9 3,7 3,9 4,1 3 1,0
BZT52C4V7 4,4 4,7 5,0 3 2,0
BZT52B5V6 5,49 5,6 5,71 1 2,0
BZT52C10 9,4 10 10,6 0,2 7,0
BZT52C13 12,4 13 14,1 0,1 8,0
BZT52C15 13,8 15 15,6 0,1 10,5
BZT52C30 28,0 30 32,0 0,1 21,0
BZT52C36 34,0 36 38,0 0,1 25,2
BZT52C3V0S 2,8 3,0 3,2 10 1,0 200
SOD-323
BZT52C3V3S 3,1 3,3 3,5 5 1,0
BZT52C3V9S 3,7 3,9 4,1 3 1,0
BZT52C4V7S 4,4 4,7 5,0 3 2,0
BZT52C5V1S 4,8 5,1 5,4 2 2,0
BZT52C5V6S 5,2 5,6 6,0 1 2,0
BZT52C6V2S 5,8 6,2 6,6 3 4,0
BZT52C8V2S 7,7 8,2 8,7 0,7 5,0
BZT52C9V1S 8,5 9,1 9,6 0,5 6,0
BZT52B10S 9,80 10 10,20 0,2 7,0
BZT52C12S 11,4 12 12,7 0,1 8,0
BZT52C15S 13,8 15 15,6 0,1 10,5
BZT52C18S 16,8 18 19,1 0,1 12,6
BZX584C3V3 3,1 3,3 3,5 5 1,0 150
SOD-523
BZX84C3V3 3,1 3,3 3,5 5 1,0 300
SOT-23
BZX84C4V7 4,4 4,7 5,0 3 2,0
BZX84C5V6 5,2 5,6 6,0 1 2,0
BZX84C8V2 7,7 8,2 8,7 0,7 5,0
BZX84C12 11,4 12 12,7 0,1 8,0
BZX84C15 13,8 15 15,6 0,1 11,2
BZX84C18 16,8 18 19,1 0,1 12,6
BZX84C24 22,8 24 25,6 0,1 16,8

Таблица 2. Транзисторы JSCJ

Наименование Полярность и топология Ток коллектора, IC, мА Максимальное напряжение, В Корпус
VCEO VCBO VEBO
BC547 NPN 100 45 50 6
TO-92
BC557 PNP -100 -45 -50 -5
BC807 PNP -500 -45 -50 -5
SOT-23
BC817 NPN 500 45 50 5
BC846 NPN 100 65 80 6
BC847 45 50
BC848 30 30
BC856 PNP -100 -65 -80 -5
BC857 -45 -50
BC858 -30 -30
MMBT2222A NPN 600 40 75 6
MMBT2907A PNP -600 -60 -60 -5
MMBT3904 NPN 200 40 60 6
MMBT3906 PNP -200 -40 -40 -5
MMBT4401 NPN 600 40 60 6
MMBT5551 NPN 600 160 180 6
MMBTA06 PNP 500 80 80 4
MMBTA42 NPN 300 300 300 5
MMBTA92 PNP -200 -300 -300 -5
BC817W NPN 500 45 50 5
SOT-323
BC846W NPN 100 65 80 6
BC847W 45 50
BC856W PNP -100 -65 -80 -5
BC857W -45 -50
BCP53 PNP -1000 -80 -100 -5
SOT-223
BCP56 NPN 1000 80 100 5

Таблица 3. Сборки JSCJ из двух транзисторов

Наименование Полярность и топология Ток коллектора, IC, мА Максимальное напряжение, В Корпус
VCEO VCBO VEBO
BC846S NPN+NPN 100 65 80 6
SOT-363
BC847S NPN+NPN 100 45 50 6
BC847PN NPN+PNP 100; -100 45; -45 50; -50 6; -5
BC857S PNP+PNP -100 -45 -50 -5

Таблица 4. Цифровые транзисторы (транзисторы со встроенными резисторами) производства JSCJ

Наименование Полярность Интегрированные резисторы Ток коллектора, IC, мА Максимальное напряжение, В Корпус
R1, кОм R2/R1 Вход Коллектор
DTA114EUA PNP 7…13 0,8…1,2 -50 -40…10 -50
SOT-23
DTC114ECA NPN 50 -10…40 50
DTC123JCA NPN 1,54…2,86 17…26 100 -5…12 50
DTC143ECA NPN 3,29…6,11 0,8…1,2 100 -10…30 50

Таблица 5. Диодные мосты JSCJ

Наименование Повторяющееся импульсное обратное напряжение VRRM, В Средний прямой ток IO, А Ударный прямой ток IFSM, А Прямое напряжение VF при токе 0,5 А, В Максимальный обратный ток IRRM при Tj =25°C, мкА Корпус
DB107S 1000 1,0 30 1,05 10
DBS
•••

Наши информационные каналы

О компании JSCJ

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин на базе подразделения дискретных компонентов созданной еще в 1972 году известной компанией Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. (), контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников. Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые диск ...читать далее

Товары
Наименование
BZT52C4V7 (JSCJ)
 

BZT52C4V7 (DIODES)
BZT52C12S (JSCJ)
 

BZT52C12S (DIODES)
BZX584C3V3 (JSCJ)
 
BZX84C12 (JSCJ)
 

BZX84C12 (DIODES)
BC817 (JSCJ)
 
BC846W (JSCJ)
 
BC807 (JSCJ)
 
BC847PN (JSCJ)
 
DTC114ECA (JSCJ)
 
DB107S (JSCJ)