Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

30 января

Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря чему предлагает широчайший ассортимент продукции: от дискретных полупроводников до микросхем.

Дискретные компоненты JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ, и в настоящее время можно приобрести следующие категории товаров этого бренда:

• стабилитроны в SMD-корпусах SOD-123, SOD-323, SOD-523 и SOT-23 (таблица 1);
• биполярные транзисторы в корпусах TO-92 для сквозного монтажа и в корпусах SOT-23, SOT-323, SOT-223 для поверхностного (таблица 2). Многие из них образуют комплементарную пару, рекомендованную изготовителем;
• сборки из двух биполярных резисторов в миниатюрном корпусе SOT-363 (таблица 3);
• транзисторы с интегрированными резисторами (Resistor-Equipped Transistor, Digital Transistor или Bias Resistor Transistor) в корпусе SOT-23 (таблица 4);
• диодные мосты в SMD-корпусе DBS (таблица 5).

Все компоненты имеют диапазон температур перехода Tj = -55…150°C.

Таблица 1. Стабилитроны JSCJ

Наименование	Напряжение стабилизации при токе 5 мА, В			Максимальный ток утечки		Мощность рассеивания, мВт	Корпус
	Мин.	Ном.	Макс.	IR, мкА	VR, В
BZT52C3V3	3,1	3,3	3,5	5	1,0	500	SOD-123
BZT52C3V9	3,7	3,9	4,1	3	1,0
BZT52C4V7	4,4	4,7	5,0	3	2,0
BZT52B5V6	5,49	5,6	5,71	1	2,0
BZT52C10	9,4	10	10,6	0,2	7,0
BZT52C13	12,4	13	14,1	0,1	8,0
BZT52C15	13,8	15	15,6	0,1	10,5
BZT52C30	28,0	30	32,0	0,1	21,0
BZT52C36	34,0	36	38,0	0,1	25,2
BZT52C3V0S	2,8	3,0	3,2	10	1,0	200	SOD-323
BZT52C3V3S	3,1	3,3	3,5	5	1,0
BZT52C3V9S	3,7	3,9	4,1	3	1,0
BZT52C4V7S	4,4	4,7	5,0	3	2,0
BZT52C5V1S	4,8	5,1	5,4	2	2,0
BZT52C5V6S	5,2	5,6	6,0	1	2,0
BZT52C6V2S	5,8	6,2	6,6	3	4,0
BZT52C8V2S	7,7	8,2	8,7	0,7	5,0
BZT52C9V1S	8,5	9,1	9,6	0,5	6,0
BZT52B10S	9,80	10	10,20	0,2	7,0
BZT52C12S	11,4	12	12,7	0,1	8,0
BZT52C15S	13,8	15	15,6	0,1	10,5
BZT52C18S	16,8	18	19,1	0,1	12,6
BZX584C3V3	3,1	3,3	3,5	5	1,0	150	SOD-523
BZX84C3V3	3,1	3,3	3,5	5	1,0	300	SOT-23
BZX84C4V7	4,4	4,7	5,0	3	2,0
BZX84C5V6	5,2	5,6	6,0	1	2,0
BZX84C8V2	7,7	8,2	8,7	0,7	5,0
BZX84C12	11,4	12	12,7	0,1	8,0
BZX84C15	13,8	15	15,6	0,1	11,2
BZX84C18	16,8	18	19,1	0,1	12,6
BZX84C24	22,8	24	25,6	0,1	16,8

Таблица 2. Транзисторы JSCJ

Наименование	Полярность и топология	Ток коллектора, IC, мА	Максимальное напряжение, В			Корпус
			VCEO	VCBO	VEBO
BC547	NPN	100	45	50	6	TO-92
BC557	PNP	-100	-45	-50	-5
BC807	PNP	-500	-45	-50	-5	SOT-23
BC817	NPN	500	45	50	5
BC846	NPN	100	65	80	6
BC847			45	50
BC848			30	30
BC856	PNP	-100	-65	-80	-5
BC857			-45	-50
BC858			-30	-30
MMBT2222A	NPN	600	40	75	6
MMBT2907A	PNP	-600	-60	-60	-5
MMBT3904	NPN	200	40	60	6
MMBT3906	PNP	-200	-40	-40	-5
MMBT4401	NPN	600	40	60	6
MMBT5551	NPN	600	160	180	6
MMBTA06	PNP	500	80	80	4
MMBTA42	NPN	300	300	300	5
MMBTA92	PNP	-200	-300	-300	-5
BC817W	NPN	500	45	50	5	SOT-323
BC846W	NPN	100	65	80	6
BC847W			45	50
BC856W	PNP	-100	-65	-80	-5
BC857W			-45	-50
BCP53	PNP	-1000	-80	-100	-5	SOT-223
BCP56	NPN	1000	80	100	5

Таблица 3. Сборки JSCJ из двух транзисторов

Наименование	Полярность и топология	Ток коллектора, IC, мА	Максимальное напряжение, В			Корпус
			VCEO	VCBO	VEBO
BC846S	NPN+NPN	100	65	80	6	SOT-363
BC847S	NPN+NPN	100	45	50	6
BC847PN	NPN+PNP	100; -100	45; -45	50; -50	6; -5
BC857S	PNP+PNP	-100	-45	-50	-5

Таблица 4. Цифровые транзисторы (транзисторы со встроенными резисторами) производства JSCJ

Наименование	Полярность	Интегрированные резисторы		Ток коллектора, IC, мА	Максимальное напряжение, В		Корпус
		R1, кОм	R2/R1		Вход	Коллектор
DTA114EUA	PNP	7…13	0,8…1,2	-50	-40…10	-50	SOT-23
DTC114ECA	NPN			50	-10…40	50
DTC123JCA	NPN	1,54…2,86	17…26	100	-5…12	50
DTC143ECA	NPN	3,29…6,11	0,8…1,2	100	-10…30	50

Таблица 5. Диодные мосты JSCJ

Наименование	Повторяющееся импульсное обратное напряжение VRRM, В	Средний прямой ток IO, А	Ударный прямой ток IFSM, А	Прямое напряжение VF при токе 0,5 А, В	Максимальный обратный ток IRRM при Tj =25°C, мкА	Корпус
DB107S	1000	1,0	30	1,05	10	DBS