Альтернатива есть: широкий ассортимент полупроводниковых компонентов JIEJIE доступен со склада КОМПЭЛ
27 апреля
Константин Кузьминов (г. Заполярный)
Сотрудничество КОМПЭЛ и китайской компании JIEJIE, лидирующей в области разработки и производства полупроводниковых компонентов, дает возможность заменить недоступную продукцию других производителей. В номенклатуру компании входят тиристоры и симисторы, диоды и диодные мосты, стабилитроны, оптроны, транзисторы, твердотельные реле и интегральные схемы, отличающиеся высоким качеством мирового уровня.
Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JIEJIE) – один из ведущих китайских разработчиков и производителей полупроводниковых компонентов. Она была основана в 1995 году, а с 2017-го входит в десятку лучших предприятий Китая по производству силовых полупроводниковых устройств. JIEJIE использует бизнес-модель IDM (Integrated Device Manufacture), то есть осуществляет полный жизненный цикл продукции, включая проектирование и производство полупроводников и пластин, маркетинг и сбыт.
В штат JIEJIE входят специализированные команды экспертов с многолетним мировым опытом. Четыре центра исследований и разработок расположены в городах Цидун, Наньтун, Уси и Шанхай, производственные мощности – в Цидун и Наньтун. Компания имеет три основных бизнес-подразделения, четыре предприятия по производству пластин, а также три завода, занимающихся сборкой и тестированием:
- Тиристорное бизнес-подразделение производит тиристорные и симисторные компоненты из 4-дюймовых пластин.
- Бизнес-подразделение «Силовые диоды и устройства защиты» выпускает силовые и сигнальные диоды и тиристоры, в том числе выпрямительные мосты, силовые модули, диоды со сверхбыстрым восстановлением, Шоттки, стабилитроны и подобную продукцию, а также защитные компоненты: супрессоры TVS и ESD, Sidac, TSS, варисторы и газоразрядники.
- Бизнес-подразделение МОП-транзисторов (MOSFET) производит такие ключевые продукты, как кремниевые МОП-транзисторы промышленного и автомобильного класса. Предприятия, выпускающие пластины и занимающиеся сборкой корпусов, сертифицированы по стандарту IATF 16949 для производства устройств автомобильного класса, отвечающих требованиям AEC-Q101.
- Четыре фабрики полупроводниковых пластин обеспечивают запросы вышеперечисленных бизнес-подразделений и выпускают пластины диаметром 4, 5, 6, и 8 дюймов (планируется расширение до 12). Технологический процесс может достигать разрешения 0,18 мкм и более. Кроме того, чтобы дополнить собственные производственные мощности, компания установила долгосрочные стратегические отношения с OSWF (аутсорсинговыми заводами по производству пластин).
- Сборочные и испытательные мощности включают в себя три центра, сертифицированных по стандарту IATF 16949 (для продукции, соответствующей AEC-Q101), а также ресурсы компаний-партнеров и OSAT (сторонних сборщиков и испытательных лабораторий). Выпускаемые корпуса предназначены как для сквозного, так и для поверхностного монтажа. Наиболее востребованные из них — SMA, SMB, SMC, SOD, SOT, SOP, TO, DFN и CSP.
- Дочерняя компания Jiangsu JieJie Semiconductor Technology Research Institute Co., Ltd., оснащенная лабораториями, сертифицированными CNAS (Китайской национальной службой аккредитации), отвечает за исследования и разработки новых типов продукции, передовых технологий обработки пластин и корпусирования. Сотрудничество с ведущими университетами и национальными исследовательскими центрами Китая позволяет продвигать фундаментальные научные разработки, ускорять совершенствование продукции, создавать инновации и преодолеть разрыв между научно-исследовательской областью и полупроводниковой промышленностью. Компания JIEJIE получила 160 патентов, более 10% которых были признаны изобретениями.
- Ответом на разнообразные запросы заказчиков из Китая и остального мира стало создание восьми дочерних компаний, каждая из которых имеет определенные роли и обязанности в создании продукции и технологий. Для управления всеми этапами JIEJIE использует передовые процессы и системы, среди них сертификации:
- ISO 9001-2008 и IATF 16949 для управления качеством;
- ISO 14001-2004 по экологическому менеджменту;
- ISO 45001 по управлению охраной труда и безопасностью;
- QC 080000 по управлению опасными веществами.
А также сертификация UL и соответствие требованиям RoHS и REACH (в зависимости от того, что применимо).
Оценить невероятно широкий ассортимент продукции JIEJIE можно, взглянув на выпускаемые компанией варианты полупроводниковых приборов, сгруппированных по основному типу в семь групп и десять таблиц.
Тиристоры и симисторы
Многие тиристоры и симисторы JIEJIE (таблица 1) являются прямыми аналогами известных моделей других производителей (соответствие можно узнать в каталоге на сайте JIEJIE). В зависимости от области применения, тиристорные компоненты могут отличаться быстрым включением, малым током затвора, интегрированным резистором в цепи «затвор-катод», повышенной стойкостью к скорости dv/dt, усиленной защитой от электромагнитных помех, способны выдерживать большой ток и работать при высоких температурах.
Таблица 1. Основные параметры тиристоров и симисторов производства компании JIEJIE
Тип | Напряжение VDRM, VRRM, В | Ток IT(RMS), А | Ток затвора IGT, мА | Максимальная рабочая температура Tj, °C | Рекомендуемая область применений |
---|---|---|---|---|---|
Чувствительный тиристор | 800…1800 | 1…12 | 0,2; 3 | 110 | Бытовая техника: ионизаторы, электроподжиг, приборы для укладки волос и так далее |
500…800 | 0,5…4 | 0,08, 0,12, 0,2 | 125 | ||
Чувствительный тиристор с резистором | 600 | 1…8 | 0,2 | 125 | |
Стандартный тиристор | 500…1600 | 8…130 | 5…80 | 125 | Мотоциклы, твердотельные реле, зарядные устройства, электроинструмент и прочее |
600…1600 | 12…141 | 3…80 | 150 | ||
3Q-симистор | 600…1600 | 0,8…100 | 5…70 | 125 | Индуктивные нагрузки |
600, 800 | 4…40 | 10…50 | 150 | ||
4Q-симистор | 600…1200 | 0,5…40 | 5…100 | 125 | Резистивные нагрузки малой и средней мощности |
Специальный симистор для стиральных машин | 600…1200 | 1…16 | 10, 35, 50 | 125 | Двигатели стиральных машин |
800, 1000 | 1, 8 | 10, 35 | 150 | ||
Симистор с подавлением переходных процессов | 600, 800, 1000 | 1…16 | 5…35 | 125 | Индуктивные нагрузки и приложения,в которых присутствуют значительные электромагнитные помехи |
800 | 1, 4 | 10 | 150 |
Для управления мощными нагрузками с помощью ключей тиристорного типа компания JIEJIE выпускает силовые модули (таблица 2) в корпусе с креплением на шасси и клеммным присоединением проводников.
Таблица 2. Основные параметры тиристорных и симисторных силовых модулей JIEJIE
Конфигурация | Напряжение VDRM, VRRM, кВ | Ток, А | Ток затвора IGT, мА | Рабочая температура Tj, °C |
---|---|---|---|---|
Два тиристора | 1,2…2,2 | 50…320 | 20…150 | -40…125 |
Тиристор и диод | 106…280 | |||
Симистор | 0,6…1,6 | 41, 55, 80 | 50 |
Помимо готовых силовых модулей, JIEJIE предлагает варианты в виде полуфабрикатов (DBC), требующих установки в корпус. Конфигурация DBC имеет следующие параметры: два встречно-параллельных тиристора, напряжение VDRM, VRRM 1,2…1,6 кВ, Ток IT(RMS) 45…100 А.
Диоды, диодные мосты и стабилитроны
Силовые модули включают в себя и диодные варианты (таблица 3) в виде двух раздельных диодов, двух диодов с общим контактом (в различных вариантах соединения) и трехфазных мостов.
Таблица 3. Диодные силовые модули JIEJIE
Конфигурация | Напряжение VRRM, кВ | Ток IF, А | Падение напряжения на одном диоде VF, В | Рабочая температура Tj, °C |
---|---|---|---|---|
Два диода | 0,6…2 | 100…380 | 1,6, 1,8, 3,0 | -40…150 |
Трехфазный мост | 1,2…2,2 | 100…250 | 1,35, 1,6 |
Номенклатура дискретных диодов и диодных мостов JIEJIE насчитывает более 700 наименований. В таблице 4 приведены некоторые характеристики этих полупроводниковых компонентов, сгруппированных по функциональным типам, а быстровосстанавливающихся диодов – по технологии изготовления и времени восстановления.
Таблица 4. Диоды и диодные мосты JIEJIE
Тип | Напряжение VRRM, В | Ток IF, А | Падение напряжения VF, В | Емкость перехода Cj, пФ | Время восстановления trr, нс | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|
Выпрямительный | 50…3000 | 1…90 | 1,1…2 | 6…350 | – | SOD-123FL, SMA/B/C, TO-220/247/263/3 |
Выпрямительный с низким VF | 600, 650, 800 | 1…60 | 0,93, 0,95, 1 | 10…120 | – | SMA/B/C, TO-220/247 |
Быстровосстана-вливающийся | 50…1000 | 1…5 | 1,3 | 7…65 | 150…500 | SOD-123FL, SMA/B/C, DO-15/27/41 |
50…1200 | 1…1,9 | 7…50 | 50…100 | SOD-123FL, SMA/B/C, | ||
50…1000 | 0,92…2,4 | 10…65 | 35…75 | |||
Быстровосстана-вливающийся эпитаксиальный | 600, 800 | 3…80 | 1,3…1,85 | – | 75 | SMC, DO-27, TO-220/247 |
300…650 | 1,35…2,1 | – | 40…75 | SMB/C, DO-27, TO-220 | ||
400, 600 | 1…60 | 1,25…2 | – | 35 | SOD-123FL, SMA/B, TO-220/247/252/263/277/3 | |
200, 400, 600 | 3…75 | 1,1…3,6 | – | 20…45 | SMB, TO-220/247/252/263/3/TL | |
Быстровосстана-вливающийся планарный EPI | 200…1200 | 1…100 | 0,87…3,3 | – | 25…100 | SMA, TO-220/247/252/263/3 |
Сигнальный | 75, 100, 200 | 50, 100, 200 | 1, 1,25 | – | 4, 50 | SOT-23, SOD-123/323/523 |
Шоттки | 20…200 | 0,2…120 | 0,45…1 | 5…800 | – | SOT-23, DFN1006-2L, SOD-123FL/323/523, SMA/B/C, TO-220/247/252/263/277 |
SiC | 650, 1200 | 4…30 | 1,5…1,8 | 185…2050 | – | TO-220/247/3 |
Мост | 50…1600 | 1…35 | 1,1 | 9…15 | – | ABS, GBJ, GBU, MBF, MBS |
Для маломощного стабилизированного питания или защиты цепи от перенапряжения можно ограничить напряжение с помощью стабилитронов. Компания JIEJIE выпускает такие компоненты как для стандартных приложений, так и для автомобильного транспорта (таблица 5).
Таблица 5. Стабилитроны JIEJIE
Приложения | Напряжение стабилизации, В | Ток, мА | Мощность, Вт | Корпус |
---|---|---|---|---|
Стандартные | 2,4…200 | 1…175 | 0,2…5 | SOD-123(FL)/323/523, SMA/B, SOT-23 |
Автомобильные | 12…200 | 0,5…52 | 0,5…3 | SOD-123FL, SMA/B |
Защитные компоненты
Надежность работы электронного оборудования практически невозможно обеспечить без компонентов защиты от импульсов перенапряжений и электростатических разрядов. В таблице 6 перечислены варианты супрессоров, защитных тиристоров, варисторов и газоразрядников производства JIEJIE. В рамках одной таблицы классифицировать несколько тысяч защитных компонентов невозможно, поэтому указаны лишь общие группы, корпуса и диапазоны рабочих напряжений. В номенклатуре компании есть практически все варианты, в том числе способные защитить высокоскоростные сигнальные цепи (интерфейсы USB-3.x, HDMI и другие).
Таблица 6. Защитные компоненты JIEJIE
Тип | Количество линий | Напряжение V, В | Мощность поглощения импульса (10/1000 мкс), Вт | Корпус |
---|---|---|---|---|
TVS | 1 | 3,3…513 | 200…30000 | AKS, DO-15/27/41, R6, SMA/B/BF/C, SMT-4, SMTO-218, SOD-123FL |
TVS для автомобильных приложений | 1 | 10…440 | 200…15000 | DO-218, R6, SMA/B/BF/C, SMT-4, SMTO-218, SOD-123FL |
Сборка TVS | 1…4 | 1,5…86 | 20…7000 | DFN0603/1006/1610/2010/2020/2510/2626/3020, SMC-3, SMT-4, SOD-323/523/923, SOP-8, SOT-143/23/353/363 |
Сборка TVS для автомобильных приложений | 3,3…36 | 60…2000 | DFN1006/2510, SOD-323/523, SOT-23 | |
TSS | 1…2 | ±8, ±28, 6…750 | – | DO-15, SMA/B/C, SMС-3, SOD-123FL, SOT-23, SOP-8, TO-92 |
Sidac (DIAC) | 1 | 70…220 | – | DO-15, SMA/B, SOD-123FL |
Варистор | 1 | 11…1000 AC 14…1465 DC |
– | 05D, 07D, 10D, 14D, 20D, 25D, 32D, SMD-3225/4032 |
Керамический газоразрядник | 1 | 90…3600 | – | DIP, SMD |
Транзисторы
Ассортимент биполярных транзисторов JIEJIE более скромен и ограничивается комплементарной парой одних из самых популярных транзисторов MMBT3904/3906 в корпусе SOT-23. Однако количество предложений MOSFET более 800, в том числе для автомобильных приложений (таблица 7).
Таблица 7. MOSFET производства JIEJIE
Область применения | Конфигурация | Напряжение VDS, В | Ток ID, А | Сопротивление открытого канала RDSON, мОм | Корпус |
---|---|---|---|---|---|
Автомобильный транспорт | P | -100 | -28, -29, -36 | 36, 37, 38 | PDFN3x3/5×6, TO-252 |
N | 40…650 | 4…479 | 0,56…820 | PDFN3x3/5×6, PowerJE®7×8/10×12, TO-220/247/252/263, U-DFN2020 | |
N+N | 40, 60, 100 | 22…111 | 2,7…28 | PDFN5x6 | |
Малое напряжение | P | -12, -20, -30 | -2…-100 | 2,6…49 | DFN2020, PDFN3x3/5×6, SOP-8, TO-251/252, SOT-23 |
P+P | -20, -30 | -4, -5,1, -11 | 12,7, 33, 65 | SOP-8 | |
N | 20, 30 | 0,75…327 | 0,55…34 | DFN1006/2020/3333, PDFN3x3/5×6, TO-220/251/252/263, SOP-8, SOT-23/323/523/723 | |
N+N | 19,5…40 | 0,9…173 | 0,9…175 | DFN3030/5060, PDFN3x3/5×6, SOP-8, SOT-23/363, TSSOP-8 | |
N+P | 20/-20, 30/-30, 40/-40 | 3,8/-2,8… 16,0/-16,0 | 9,8/18,5…30/51 | PDFN3x3/5×6, SOP-8, SOT-23 | |
Среднее напряжение | P | -40, -60, -100 | -6,3…-70 | 7,1…40 | PDFN3x3/5×6, SOP-8, SOT-23/223, TO-220/252/263 |
P+P | -100 | -6,6 | 39 | SOP-8 | |
N | 30…200 | 0,2…471 | 0,5…2200 | DFN1006/2020/3333, PDFN3x3/5×6, PowerJE®10×12, TO-220/247/251/252/263, SOP-8, SOT-23/223/323/89, V-DFN5060 | |
N+N | 40, 60, 100 | 0,2…64 | 4,4…1600 | PDFN3x3/5×6, PowerJE®10×12, SOP-8, SOT-363 | |
N+P | 40/-40 | 8/-6, 10/-10, 14/-14 | 15/15…17/41 | PDFN3x3, SOP-8 | |
Высокое напряжение | N | 500…1000 | 1…71 | 35…8800 | DFN8080, TO-220/247/252/263 |
Оптроны
Одним из способов гальванически изолированной передачи сигналов и такой же коммутации нагрузки является оптрон – оптически связанная пара компонентов. В первичной стороне используется инфракрасный светодиод (или два, включенных встречно-параллельно), а вторичная может представлять собой как один компонент, например, фототранзистор, так и интегральную сборку с дополнительным функционалом.
Компания JIEJIE предлагает широкий ряд оптронов (таблицы 8 и 9), вторичная сторона которых выполнена в нескольких вариантах, таких как:
- тиристор, в том числе со схемой детектора перехода фазы переменного тока нагрузки через ноль (детектор нуля);
- драйвер для управления силовыми MOSFET и IGBT с отличными показателями подавления высокого уровня синфазного шума;
- оптореле для коммутации небольшой AC/DC-нагрузки (встречно включенная пара MOSFET), с малым током утечки;
- биполярный транзистор;
- фотодиод с наносекундным откликом и схема усиления для высокоскоростного переключения.
Таблица 8. Тиристорные оптроны, оптореле и драйверы транзисторов производства JIEJIE
Тип оптрона | Нагрузка | Напряжение изоляции VRMS, кВ | Ток управления, мА | Рабочая температура Tj, °C | Корпус | |
---|---|---|---|---|---|---|
Напряжение, В | Ток, А | |||||
Тиристорный | 250…800 AC | 0,1 | 3,75, 5 | 5, 10, 15 | -40…100 | DIP-4/5/6, SMD-4/5/6, SOP-4 |
Тиристорный c детектором нуля | ||||||
2-канальный тиристорный c детектором нуля | 1200 AC | 5 | -40…110 | |||
Драйвер затвора MOSFET/IGBT | 10…30 DC 15…35 DC |
±0,8…±4 | 5 | 2…3 (рекомендуемый 7…16) | -40…100/110; | DIP-8, SMD-8, WSOP-6 |
Оптореле | 60…600 AC/DC | 0,04…2 | 3,75, 5 | 0,4…3 (рекомендуемый 5…10) | -40…85 | DIP-4/6/8, SMD-4/6/8, SOP-4 |
1500 AC/DC | 0,002 | 5 | 0,1…1 | -40…110 | DIP-6, SMD-6 |
Таблица 9. Транзисторные и быстродействующие оптроны JIEJIE
Тип оптрона | CTR% | Напряжение изоляции VRMS, кВ | Напряжение коллектора или выхода, В | Максимальный ток управления, мА | Рабочая температура Tj, °C | Корпус | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. | Макс. | ||||||
Транзисторный | 20…1000 | 80…15000 | 5 | 35…350 | 1…60, ±50, ±60 | – | DIP-4/6/8, SMD-4/6/8, SOP-4, SSOP-4/16, LSOP-4, |
Высокоскоростной (0,1…10 Мбит/с) | 7…500 | 50, 2000 | 3,75, 5 | 7, 20 | 25 | -55…100, -40…100 | DIP-8, SMD-8, SOP-5 |
Твердотельные реле (SSR)
На базе перечисленных оптронов строятся твердотельные реле – полупроводниковые компоненты, отличающиеся от обычных реле отсутствием механических контактов, что позволяет осуществлять коммутацию нагрузки и сигналов значительно быстрее и в более сложных условиях.
JIEJIE предлагает две группы SSR, выполненных в корпусах DIP-7 и M0 (таблица 10). Технология производства SSR M0 является независимой разработкой компании и позволяет компоненту выдерживать ток 5 А в течение длительного времени без радиатора. В зависимости от исполнения, твердотельные реле могут иметь интегрированную схему детектора нуля.
Таблица 10. Твердотельные реле JIEJIE
Корпус | Напряжение нагрузки, В AC | Ток нагрузки, А (минимальный) | Ток управления, мА | Изоляция, кВ | Рабочая температура Tj, °C |
---|---|---|---|---|---|
M0 | 24…280 | 20 (0,15) | 7…50 | 2 | -40…80 |
DIP-7 | 600 | 0,3…1,2 | 10 | 5 | -40…85 |
Интегральные схемы
Помимо вышеперечисленных дискретных полупроводниковых компонентов, оптронов и твердотельных реле, компания JIEJIE разрабатывает и производит интегральные схемы (ИС) для различных приложений:
- ИС в корпусе SOT23-6 для построения УЗО. Такая микросхема представляет собой контроллер с малым энергопотреблением и содержит диодный выпрямитель, стабилизатор, прецизионный усилитель, фильтр, компаратор, драйвер управления тиристором. Построение УЗО на базе этой ИС требует минимального числа внешних компонентов.
- Шунтирующий источник опорного напряжения 2,5…36 В с точностью ±0,4% в корпусе SOT23-3.
- Линейные регуляторы напряжения, в том числе c малым падением напряжения (LDO) в корпусах SOT89, SOT23-3/5, TO-92, SOT-223-3. Они отличаются высоким входным напряжением, составляющим 20…36 В, в зависимости от модели. LDO способны обеспечить максимальный выходной ток 100 или 300 мА при выходном напряжении 2,1…9/2,5…9/2,8…9 В, устанавливаемом внешним резистивным делителем. Стандартные регуляторы имеют фиксированное напряжение 3,3 и 5,0 В или настраиваемое в диапазоне 1,2…5 В. Максимальный выходной ток составляет 0,1 или 1,3 А.
- Драйвер тиристора со встроенным детектором перехода фазы через ноль, обладающий компактным корпусом SOT23-6, высокой чувствительностью обнаружения, защитой от перегрева и перенапряжения.
- Интеллектуальный переключатель питания (iPwrSw или IoTFET) с различными режимами работы, которые программируются внешними компонентами, например, с включением (плавным запуском) и защитами от перегрузки по току, перегрева, перенапряжения. Его отличительными особенностями являются малое сопротивление открытого канала встроенного MOSFET и параметры нагрузки, в зависимости от модели iPwrSw составляющие 3,0…28 В, 4 А или 0,5…20 В, 10 А. Некоторые iPwrSw имеют выход состояния Power Good.
В 2021 году компания JIEJIE заняла первое место в Китае и мире по доходам от продаж тиристорных компонентов и заменила на своем рынке около 50% аналогичной продукции зарубежных производителей. Это свидетельствует о хорошем качестве диодно-тиристорных модулей, подтвержденном отзывами независимых исследователей.
Сотрудничество КОМПЭЛ и JIEJIE позволяет не только воспользоваться лучшими образцами тиристорных компонентов, но и заменить полупроводники, выпускаемые производителями, ушедшими с рынка РФ. В частности, линейка МОП-транзисторов, особенно производимых по технологии JSFET® SGT и имеющих рабочее напряжение стока до 200 В, по своим характеристикам ничуть не уступает лучшим мировым аналогам.
Наши информационные каналы