Серия биполярных транзисторов L2SA812

LRC

Общие характеристики

 Раздел Биполярный транзистор
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота

Документация на серию L2SA812

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L2SA812QLT1G Series S-L2SA812QLT1G Series FEATURE ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V. ƽEpitaxial planar type. ƽNPN complement: L2SC1623 ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 ƽS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 2 Marking Shipping L2SA812QLT1G S-L2SA812QLT1G M8 3000/Tape&Reel L2SA812QLT3G S-L2SA812QLT3G M8 10000/Tape&Reel L2SA812RLT1G S-L2SA812RLT1G L2SA812RLT3G S-L2SA812RLT3G L2SA812SLT1G S-L2SA812SLT1G L2SA812SLT3G S-L2SA812SLT3G M6 3000/Tape&Reel M6 10000/Tape&Reel M7 3000/Tape&Reel M7 10000/Tape&Reel Device SOT-23 3 COLLECTOR 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Symbol Rating L2SA812 Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Collector-Base Voltage VCBO -60 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V IC -150 mAdc Symbol Max Unit 200 mW 1.8 mW/oC Collector current-continuoun THERMAL CHARATEERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR-5 Board, (1) PD o TA=25 C o Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient R θ JA 556 o C/W PD Total Device Dissipation o Alumina Substrate, (2) TA=25 C o Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature R θJA Tj ,Tstg 200 mW 2.4 mW/oC 417 -55 to +150 o C/W o C Rev.O 1/5 PDF
Документация на L2SA812RLT1G 

Дата модификации: 22.08.2012

Размер: 191.2 Кб

5 стр.

    Товары серии L2SA812

    Наименование i Упаковка h 21
    L2SA812RLT1G (LRC)
     
     
    L2SA812SLT1G (LRC)