L2SA812SLT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
L2SA812QLT1G Series
S-L2SA812QLT1G Series
FEATURE
ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V.
ƽEpitaxial planar type.
ƽNPN complement: L2SC1623
ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
3
ƽS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and P...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: L2SA812
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.