L2SA812RLT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
L2SA812QLT1G Series
S-L2SA812QLT1G Series
FEATURE
ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V.
ƽEpitaxial planar type.
ƽNPN complement: L2SC1623
ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
3
ƽS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and P...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: L2SA812
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Граничная рабочая частота |  | |
| Коэффициент усиления по току |  | |
| Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | A1015 200-400 (JSCJ) | TO-92-3 |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | L2SA812SLT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.