Серия биполярных транзисторов LMBT2222

LRC

Общие характеристики

 Раздел Биполярный транзистор
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току

Документация на серию LMBT2222

LMBT2222ALT1G S-LMBT2222ALT1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LMBT2222ALT1G 1P 3000/Tape&Reel LMBT2222ALT3G 1P 10000/Tape&Reel 3 COLLECTOR 1 BASE 2 EMITTER 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Symbol Limits Unit Collector–Emitter Voltage Parameter VCEO 40 Vdc Collector–Base Voltage VCBO 75 Vdc Emitter–Base Voltage VEBO 6 Vdc IC 600 mAdc Symbol Limits Unit FR−5 Board (Note 1) @ TA = 25ºC 225 mW Derate above 25ºC 1.8 mW/ºC RΘJA 556 ºC/W TJ,Tstg −55∼+150 ºC Collector Current — Continuous 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation, Thermal Resistance, PD Junction–to–Ambient(Note 1) Junction and Storage temperature 1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in. Leshan Radio Company, LTD. Rev.B Mar 2016 1/5 PDF
Документация на LMBT2222ALT1G 

Дата модификации: 02.03.2016

Размер: 632 Кб

5 стр.

    Товары серии LMBT2222

    Наименование i Упаковка Pрасс
    LMBT2222ALT1G (LRC)
     
     
    		 1 шт
    LMBT2222ATT1G (LRC)