LMBT2222ALT1G

LMBT2222ALT1G S-LMBT2222ALT1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT2222A (YJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT2222A (SHIKUES)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3
 
P= MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT2222AQ (YJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.