AS2026EQ

Anbon
AS2026EQ N and P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID V(BR)DSS 0.75A -20V 380mΩ@4.5V 20V ID 750mΩ@-4.5V 450mΩ@2.5V Feature RDS(on)MAX -0.66A 1000mΩ@-2.5V Application Trench Technology Driver: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers High Density Cell Design For Ultra Low Power supply converters circuit On-Resistance Load/Power Switching for potable...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
AS2026EQ N and P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID V(BR)DSS 0.75A -20V 380mΩ@4.5V 20V ID 750mΩ@-4.5V 450mΩ@2.5V Feature RDS(on)MAX -0.66A 1000mΩ@-2.5V Application Trench Technology Driver: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers High Density Cell Design For Ultra Low Power supply converters circuit On-Resistance Load/Power Switching for potable device ESD Protected Package ：2KV Circuit diagram SOT-563 Marking Page 1 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. AS-3150213 2013/03/08 2015/05/16 D 6 PDF
Документация на AS2026EQ 

AS2026EQ

Дата модификации: 14.02.2022

Размер: 1.26 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)