SCQ065G15H

SUNCO
SCQ065G15H N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 15A ＜65mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Hal...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN338
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO28N15T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ JMSH1535AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCE1540AF (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ WMB690N15HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB510N15HG2 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMO690N15HG2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ WMO15N15T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ WML340N20HG2 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ NCEP0225G (NCE)
 
—
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
SCQ065G15H N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 150V 15A ＜65mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Switching Voltage Regulators ● DC-DC convertor ● Power management ● Portable equipment ■ Limiting Values Parameter Conditions Symbol Min Max Drain-source Voltage VDS - 150 Gate-source Voltage VGS -20 20 - 3.6 - 2.2 TC=25℃,VGS=10V,Chip limitation - 15 TC=100℃,VGS=10V - 9.5 - 50 Unit V TA=25℃,VGS=10V Continuous Drain Current (Note 1,2) Steady-State TA=100℃,VGS=10V ID Continuous Drain Current (Note 1,3) Steady-State A Pulsed Drain Current TC=25℃,tp≤10µs IDM Maximum Body-Diode Continuous Current TC=25℃ IS Avalanche Energy (non-repetitive ) TJ=25℃,VG=10V, RG=25Ω, L=0.1mH, IAS=4.2A Total Power Dissipation (Note 1,2) Steady-State 15 EAS - 0.88 - 1.9 - 0.77 TC=25℃ - 54 TC=100℃ - 21 -55 150 TA=25℃ TA=100℃ PD Total Power Dissipation (Note 1,3) mJ W Steady-State Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ ■Thermal Resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient (Note 2) Steady-State RθJA - 65 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC - 2.3 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE SCQ065G15H F1 Q065G15 5000 10000 100000 13“ reel 1/9 S-E591 Rev.1.0,25-Dec-24 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на SCQ065G15H 

Дата модификации: 13.03.2025

Размер: 927.6 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)