BAT54SW

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 30 В, ток до 600 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAT54S (YOUTAI)
 

BAT54S (DIODES) 		— в ленте 3000 шт
 
 —
P= BAT64-04 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= BAT54SW (JSCJ)
 

BAT54SW (DIODES) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
P= 1SS372 (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — —
P= LBAT54SWT1G (LRC)
 
SOT-323-3 в ленте 1205 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54SW (SHIKUES)
 

BAT54SW (DIODES) 		SOT-323-3
 
 — — — — — —
P= BAT54S (DC)
 

BAT54S (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54S (JSCJ)
 

BAT54S (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAT54S (YJ)
 

BAT54S (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54SWT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54S [SOT23] (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= LBAT54SLT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, TO-236AB
P= BAT54S (ANBON)
 

BAT54S (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — — —
P= BAT54S (SHIKUES)
 

BAT54S (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BAT54W/AW/CW/SW Dual Series Schottky Barrier Diodes FEATURES z Extremely Fast Switching Speed z Low forward voltage z SOT-323 Compliant to Halogen-free MARKING: BAT54W KL5 BAT54AW B4 KL6 B6 BAT54CW KL7 B7 BAT54SW KL8 B8 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit 30 V Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 200 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 600 mA Repetitive Peak Forward Current @ t≤1s,δ≤0.5 IFRM 300 mA Power Dissipation PD 200 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient RΘJA 500 ℃/W Junction Temperature Tj 125 ℃ Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Reverse voltage V(BR) Reverse current IR Forward voltage VF Diode capacitance CD Reverse recovery time trr http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 Test conditions IR=100μA Min Typ Max Unit 30 V 2 μA IF1=0.1mA 0.24 V IF2=1mA 0.32 V IF3=10mA 0.40 V IF4=30mA 0.50 V IF5=100mA 1 V VR=0V,f=1MHz 10 pF 5 ns VR=25V IF=IR=10mA Irr=0.1×IR,RL=100Ω Page 1 Document ID Issued Date A S-222645 2008/02/10 Revised Date 2022/05/16 Revision Page. C 3 PDF
Документация на BAT54AW 

BAT54W_BAT54AW_BAT54CW_BAT54SW

Дата модификации: 20.10.2014

Размер: 3.46 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)