ATSCM800G170H
ATSCM800G170H
Silicon Carbide Power MOSFET
Product Summary
Chip Type
ATSCM800G170H
VDS
ID
1700V
5.3A
RDS(ON)
800mΩ
Features
Benefits
•
•
•
•
•
•
•
High Blocking Voltage
High Frequency Operation
Low on-resistance
Fast intrinsic diode with low reverse recovery
100% avalanche tested
Package
TO-263-7
•
•
•
Higher system efficiency
Parallel device convenience without
thermal runaway
Hi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2637
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2637 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Особенности |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | ASZM1R0170N (ANBON) | TO2637 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |  |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.