BL24C256A-PATC
EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 262.1 кбит . Особенности: 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Тип памяти |  | |
|---|---|---|
| Подтип памяти |  | |
| Интерфейс |  | |
| Объём памяти |  | |
| Организация памяти |  | |
| Напряжение питания |  | |
| Особенности: 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V | ||
| Рабочая температура |  | |
| Время доступа |  | |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Подтип | Интерфейс | Объём | Организация | Напряжение | Особенности | T раб | Время доступа | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A- | BL24C256A-NTRC (CN BELL) | — | в ленте 50 шт |  |  |  |  |  |  | 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V |  |  | ||
| A- | BL24C256A-PARC (CN BELL) | SOP-8 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V |  |  | ||
| A- | BL24C256A-SFRC (CN BELL) | TSSOP-8 |  |  |  |  |  |  | 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V |  |  |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.