BL25CM1A-PARC

Belling
EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1.049 Мбит, в корпусе SOP-8 . Особенности: 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V . Напряжение питания: 2.8...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Тип памяти
Подтип памяти
Интерфейс
Объём памяти
Организация памяти
Напряжение питания
  Особенности: 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
Рабочая температура
Время доступа
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Подтип Интерфейс Объём Организация Напряжение Особенности T раб Время доступа Карточка
товара
P= BL25CM2A-PARC (CN BELL)
 
SOP-8 1 шт
 
 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
P= BL24C512A-PARC (CN BELL)
 
SOP-8 в ленте 2500 шт
 
 4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
P= P25CM01H-SSH-MIR (PUYA)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= P25CM02F-SSH-MIR (PUYA)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
BL25CM1A 1M bits (131,072×8) Features ⚫ ⚫ ⚫ Serial Peripheral Interface (SPI) data transfer protocol Memory array: – 1M bits (128 Kbytes) of EEPROM – Page size: 256 bytes – Additional Write lockable page Single supply voltage and high speed: – BL25CM1A 2MHz （2.8V - 5.5V） BL25CM1A5 5MHz （2.8V - 5.5V） Random and sequential Read modes Write: – ⚫ ⚫ – Byte Write within 8 ms Page Write within 8 ms – Partial Page Writes Allowed Write Protect: quarter, half or whole memory array Operating temperature range: from -40℃ to 85℃ High-reliability – Endurance: 1 Million Write Cycles – Data Retention: 100 Years Enhanced ESD/Latch-up protection – HBM 8000V – 8-lead SOP and WLCSP8 packages – ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ Description ⚫ ⚫ The BL25CM1A devices are Electrically Erasable Programmable Memory (EEPROM) organized as 131072 x 8 bits, accessed through the SPI bus. The BL25CM1A can operate with a supply range from 2.8V to 5.5V. These devices are guaranteed over the -40 °C/+85 °C temperature range. ⚫ The BL25CM1A offers an additional page, named the Identification Page (256 bytes). The Identification Page can be used to store sensitive application parameters which can be (later) permanently locked in Read-only mode. Pin Configuration WLCSP8 １2 34 ８-lead SOP CS SO WP VSS １ ２ ３ ４ 8 7 6 5 Vcc A B HOLD SCK SI C D Top view (bumps underneath) BL25CM1A 1Mbits (131,072×8) Belling Proprietary Information. Unauthorized Photocopy and Duplication Prohibited © 2018 Belling All Rights Reserved www.belling.com.cn 1-21 PDF
Документация на BL25CM1A-PARC 

Дата модификации: 03.09.2020

Размер: 552.8 Кб

21 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    23K256-I/SN (MCRCH)