BLM2012E

Belling
ROHS Product BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The BLM2010E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. General Features Schematic diagram ● VDS = 20V,ID =7A Typ.R DS(ON) = 16mΩ @ VGS=4.5V ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TSSOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ROHS Product BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The BLM2010E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. General Features Schematic diagram ● VDS = 20V,ID =7A Typ.R DS(ON) = 16mΩ @ VGS=4.5V Typ.R DS(ON) = 20mΩ @ VGS=2.5V ESD Rating: 2000V HBM ● High Power and current handing capability ● Lead free product is acquired Marking and pin Assignment ● Surface Mount Package Application ●PWM application ●Load switch TSSOP-8 top view Package Marking And Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 2010E BLM2010E TSSOP-8 Ø330mm 12mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Drain Current-Continuous ID Drain Current-Pulsed (Note 1) IDM Maximum Power Dissipation PD Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG Limit Unit 20 V ±12 V 7 A 30 A 1.5 W -55 To 150 ℃ 83.3 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit - V 1 µA Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250µA 20 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=20V,VGS=0V - Page1 www.belling.com.cn - V3.1 PDF
Документация на BLM2012E 

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 15.10.2015

Размер: 307.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)