2N7002C

Yangjie
RoHS 2N7002C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 350mA ＜1.0Ω ＜1.4Ω General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — —
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
— в ленте 300 шт
 
 — — —
A+ 2N7002K (KEENSIDE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		—
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 2N7002C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 350mA ＜1.0Ω ＜1.4Ω General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±30 V 350 TA=25℃ Drain Current ID mA 220 TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 2 A 830 TA=25℃ Total Power Dissipation B PD mW 330 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 120 150 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002C F2 7002C. 3000 30000 120000 7“ reel 1/8 S-E368 Rev.1.0,07-Jul-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002C 

Дата модификации: 06.07.2023

Размер: 681.5 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)