BLM3407
Pb Free Product
BLM3407
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
DESCRIPTION
D
The BLM3407 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
G
voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
S
GENERAL FEATURES
Schematic diagram
● VDS = -30V,ID = -4.1A
RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON)...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM3407
- Корпус: —
- Норма упаковки: 20 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -30 V, -4,1 A, 0,055 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.