BLM3407

Pb Free Product BLM3407 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The BLM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -4.1A RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON)...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -30 V, -4,1 A, 0,055 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на BLM3407 

BLM3407

Дата модификации: 13.03.2012

Размер: 215.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.