BLM4407
Pb Free Product
BLM4407
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
DESCRIPTION
G
The BLM4407 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
S
voltages as low as 4.5V.
Schematic diagram
GENERAL FEATURES
● VDS = -30V,ID = -12A
RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=-10V
● High Power and current handing capability
● Lead ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM4407
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, SOP-8, -30 V, -12 A, 0,0115 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery Switch, Load switch, Power management |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на BLM4407
BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 03.04.2020
Размер: 718.3 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.