BLM4953

Pb Free Product BLM4953 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D1 The BLM4953 uses advanced trench technology to prov ide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate D2 G1 G2 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2 Schematic diagram GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON) < 105mΩ @...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание P-Channel Trench MOSFET, SOP-8, -30 V, -5,1 A, 0,048 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.