BLM4953
Pb Free Product
BLM4953
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
DESCRIPTION
D1
The BLM4953 uses advanced trench technology to prov ide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
D2
G1
G2
voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
S1
S2
Schematic diagram
GENERAL FEATURES
● VDS = -30V,ID = -5.1A
RDS(ON) < 105mΩ @...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM4953
- Корпус: SOP-8
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOP-8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | P-Channel Trench MOSFET, SOP-8, -30 V, -5,1 A, 0,048 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.