CRJL290N65G2

CR Micro
CRJL290N65G2 SJMOS N-MOSFET 650V, 295mΩ, 10A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS,min 650V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on),typ 295mΩ • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC ID 10A Applications • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100%...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE65T360K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMH65R290APLN (JIEJIE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ CRJF190N65G2BF (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMK20N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMK16N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRJL290N65G2 SJMOS N-MOSFET 650V, 295mΩ, 10A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS,min 650V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on),typ 295mΩ • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC ID 10A Applications • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% DVDS Tested • Solar/Renewable/UPS-Micro Inverter System 100% Avalanche Tested • Charger • Power Supply Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRJL290N65G2 CRJL290N65G2 PDFN8*8 Tape&Reel N/A N/A 3000pcs Symbol Value Unit VDS 650 V ID 10 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current 1) TC = 25°C TC = 100°C 6 2) ID,pulse 38 A EAS 120 mJ dv/dt 50 V/ns Gate-Source voltage VGS ±30 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 74 W IS 10 A IS,pulse 38 A dv/dt 50 V/ns Tj , T stg -55...+150 °C Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tj,max) Avalanche energy, single pulse (L=50mH) MOSFET dv/dt ruggedness Continuous diode forward current(TC = 25°C) Diode pulse current 2) Recovery diode dv/dt (TC = 25°C) 3) Operating junction and storage temperature 1) Limited by Tj,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50 2) Pulse width tp limited by Tj,max 3) Identical low side and high side switch with identical Rg Rev 1.1 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRJL290N65G2 

CRJL290N65G2 Datasheet V1.1B.xlsx

Дата модификации: 17.08.2023

Размер: 1.32 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)