CRJQ30N60G2BF

CRJQ30N60G2BF SJMOS N-MOSFET 600V, 28mΩ, 83A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS,min 600V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on),typ 28mΩ • Ultra-fast body diode ID 83A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested •...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD206520NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
CRJQ30N60G2BF SJMOS N-MOSFET 600V, 28mΩ, 83A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS,min 600V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on),typ 28mΩ • Ultra-fast body diode ID 83A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested • Solar/Renewable/UPS-Micro Inverter System • Charger • Power Supply Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRJQ30N60G2BF CRJQ30N60G2BF TO-247-3L Tube N/A N/A 25pcs Symbol Value Unit VDS 600 V ID 83 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current 1) TC = 25°C TC = 100°C 53 2) ID,pulse 249 A EAS 1200 mJ dv/dt 50 V/ns Gate-Source voltage VGS ±30 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 558 W IS 83 A (TC = 25°C) IS,pulse 249 A 3) dv/dt 50 V/ns Tj , T stg -55...+150 °C Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tj,max) Avalanche energy, single pulse (L=30mH) MOSFET dv/dt ruggedness Continuous diode forward current(TC = 25°C) Diode pulse current 2) Recovery diode dv/dt Operating junction and storage temperature 1) Limited by Tj,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50 2) Pulse width tp limited by Tj,max 3) Identical low side and high side switch with identical Rg Rev2.1 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRJQ30N60G2BF 

CRJQ30N60G2BF Datasheet V2.1B.xlsx

Дата модификации: 05.08.2023

Размер: 1.26 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.