CRJT140N65G2F

CR Micro
CRJT140N65G2F SJMOS N-MOSFET 650V, 110mΩ, 24A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS,min 650V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on),typ 110mΩ • Ultra-fast body diode ID 24A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMK36N60F2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
P- NCE65TF130 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMK36N60C4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ YJD2065100B7GH (YJ)
 
TO2637 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ YJD2065100NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ YJD2065100NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRJT140N65G2F SJMOS N-MOSFET 650V, 110mΩ, 24A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS,min 650V • Better efficiency due to very low FOM RDS(on),typ 110mΩ • Ultra-fast body diode ID 24A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested • Solar/Renewable/UPS-Micro Inverter System • Charger • Power Supply Top view Bottom view Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRJT140N65G2F CRJT140N65G2F TO-220 Tube N/A N/A 50pcs Symbol Value Unit VDS 650 V ID 24 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current 1) TC = 25°C TC = 100°C 15 2) ID,pulse 72 A EAS 300 mJ dv/dt 50 V/ns Gate-Source voltage VGS ±30 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 194 W IS 24 A (TC = 25°C) IS,pulse 72 A 3) dv/dt 50 V/ns Tj , Tstg -55...+150 °C Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tj,max) Avalanche energy, single pulse (L=30mH) MOSFET dv/dt ruggedness Continuous diode forward current(TC = 25°C) Diode pulse current 2) Recovery diode dv/dt Operating junction and storage temperature 1) Limited by Tj,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50 2) Pulse width tp limited by Tj,max 3) Identical low side and high side switch with identical Rg Rev1.1 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRJT140N65G2F 

CRJT140N65G2F Datasheet V1.1B.xlsx

Дата модификации: 05.08.2023

Размер: 1.32 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)