CRSM020N04L2

CR Micro
CRSM020N04L2 SkyMOS2 N-MOSFET 40V, 1.4mΩ, 80A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology VDS 40V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 1.4mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 1.75mΩ • Qualified according to JEDEC criteria ID 80A Applications • Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger • B...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- BSC022N04LS (EVVO)
 
— 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 — —
P- NCEP40T11G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRSM020N04L2 SkyMOS2 N-MOSFET 40V, 1.4mΩ, 80A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology VDS 40V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 1.4mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 1.75mΩ • Qualified according to JEDEC criteria ID 80A Applications • Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger • Battery management 100% Avalanche Tested • UPS (Uninterrupible Power Supplies) CRSM020N04L2 Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing CRSM020N04L2 SM020N04L2 DFN5X6 Tape&Reel Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 5000pcs Symbol Value Unit VDS 40 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) 177 80 A 109 ID pulse 320 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω)[1] EAS 210 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TC = 25°C ) Ptot 79.1 W Tj , T stg -55...+150 °C Operating junction and storage temperature ※. Notes:1.EAS is tested at starting Tj = 25℃, L = 0.5mH, IAS = 29A, VGS = 10V. ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRSM020N04L2 

CRSM020N04L2_(40V_1.4mR_80A)_DS_v1.0x Keywords:

Дата модификации: 18.07.2019

Размер: 433.6 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)