HPA650R190PC-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HPA650R190PC-G General Description: VDSS(Tjmax) 700 V ID 20 A MOSFETs, is obtained by the super junction technology which PD(T C=25℃) 33 W reduces the conduction loss, improve switching performance and RDS(ON)Typ 0.13 Ω Eoss@400V 4.0 uJ HPA650R190PC-G, the silicon N-channel Enhanced enhance the avalanche energy. The transistor can be us...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WML26N60C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
P- WML28N60C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ YJD2065100B7GH (YJ)
 
TO2637 в линейках 30 шт
 
A+ YJD2065100NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD2065100NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на HPA650R190PC-G 

HPA650R190PC-G[1]

Дата модификации: 25.02.2020

Размер: 513.6 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.