2N5551

DC Components
Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= 2N5551 (JSCJ)
 

2N5551 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 2000 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. 2N5551 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier applications. TO-92 Pinning .190(4.83) .170(4.33) 1 = Emitter 2 = Base 3 = Collector o 2 Typ .190(4.83) .170(4.33) o 2 Typ .500 Min (12.70) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Characteristic VCBO 180 V Collector-Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 600 mA Total Power Dissipation PD 625 mW Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .022(0.56) .014(0.36) .050 Typ (1.27) .022(0.56) .014(0.36) .100 Typ (2.54) .148(3.76) .132(3.36) 3 2 1 .050 o o 5 Typ. 5 Typ. (1.27) Typ C Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO 180 - - V IC=100µA, IE=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 160 - - V IC=1mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 6 - - V IE=10µA, IC=0 Collector Cutoff Current ICBO - - 50 nA VCB=120V, IE=0 Emitter Cutoff Current IEBO - - 50 nA VEB=4V, IC=0 Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage DC Current Gain (1) (1) (1) VCE(sat)1 - - 0.15 V IC=10mA, IB=1mA VCE(sat)2 - - 0.2 V IC=50mA, IB=5mA VBE(sat)1 - - 1 V IC=10mA, IB=1mA VBE(sat)2 - - 1 V IC=50mA, IB=5mA hFE1 80 - - - IC=1mA, VCE=5V hFE2 80 - 400 - IC=10mA, VCE=5V hFE3 50 - - - IC=50mA, VCE=5V Transition Frequency fT 100 - 300 MHz Output Capacitance Cob - - 6 pF (1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2% Classification of hFE2 Rank A B C Range 80~200 100~250 160~400 IC=10mA, VCE=10V, f=100MHz VCB=10V, f=1MHz, IE=0 PDF
Документация на 2N5551 

Дата модификации: 27.04.2023

Размер: 211.3 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)