2N5551

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5551 TO – 92 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES z General Purpose Switching Application 2. BASE 3. COLLECTOR  2N Z Equivalent Circuit 1 'HYLFHFRGH  6ROLGGRW *UHHQPROGLQJFRPSRXQGGHYLFH LIQRQHWKHQRUPDOGHYLFH Z=Rank of h FE ;;; &RGH z 1 ORDERING INFORMATION Part Nu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 10 шт
 
 — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ DMMT5551S (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
— — — — —
A+ MMBT5551 (JSMICRO)
 

MMBT5551 (DIODES) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ PZT5551 (SHIKUES)
 
SOT-223
 
 — — — —
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ MMBTA42 (SHIKUES)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ SXT5551 (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5551 TO – 92 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES z General Purpose Switching Application 2. BASE 3. COLLECTOR  2N Z Equivalent Circuit 1 'HYLFHFRGH  6ROLGGRW *UHHQPROGLQJFRPSRXQGGHYLFH LIQRQHWKHQRUPDOGHYLFH Z=Rank of h FE ;;; &RGH z 1 ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 1 72 %XON 1000pcs/Bag 17$ 72 7DSH 2000pcs/Box  MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V V EBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 0.6 A PC Collector Power Dissipation 625 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 200  /W R ș JA TJ,Tstg www.jscj-elec.com Operation Junction and Storage Temperature Range 1 -55~+150   Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2N5551 

Microsoft Word - MMBT5551 SOT-23美的.doc

Дата модификации: 25.05.2020

Размер: 485.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)