IRF5210S

EVVO
IRF5210S P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs  100% EAS Guaranteed  Green Device Available  Super Low Gate Charge  Excellent CdV/dt effect decline  Advanced high cell density Trench technology Product Summary BVDSS RDSON ID -100V 70mΩ -25A TO-263 Pin Configuration Description The IRF5210S uses advanced trench MOSFET technology to provide excellent RDS(ON) and gate charge for use in a ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF5210S (INFIN)
  • Корпус: TO263
  • Норма упаковки: 800  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE01P30D (NCE)
 
TO263
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMPL1050AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF5210S P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs  100% EAS Guaranteed  Green Device Available  Super Low Gate Charge  Excellent CdV/dt effect decline  Advanced high cell density Trench technology Product Summary BVDSS RDSON ID -100V 70mΩ -25A TO-263 Pin Configuration Description The IRF5210S uses advanced trench MOSFET technology to provide excellent RDS(ON) and gate charge for use in a wide variety of other applications. The IRF5210S meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage ID@TC=25℃ ID@TC=100℃ IDM ±20 V Continuous Drain Current, VGS @ -10V1 -25 A Continuous Drain Current, VGS @ -10V1 -12 A Pulsed Drain Current2 -75 A EAS Single Pulse Avalanche Energy3 157.2 mJ IAS Avalanche Current 18.9 A PD@TC=25℃ Total Power Dissipation4 54 W TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ TJ Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ Thermal Data Symbol Parameter Typ. RθJA Thermal Resistance Junction-Ambient RθJC Thermal Resistance Junction-Case1 Rev:2023A2 1 1 Max. Unit --- 62 ℃/W --- 2.3 ℃/W PDF
Документация на IRF5210S 

EVVO IRF5210S

Дата модификации: 24.05.2024

Размер: 993.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)