IRFU5305
IRFU5305
-60 V P- Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION
The IRFU5305TR uses advanced trench
2.Drain
technology to provide excellent RDS(ON) and low
gate charge .This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
1.Gate
GENERAL FEATURES
3.Source
VDS =- 60V,ID =-30A
RDS(ON) < 40mΩ @ V GS=-10V
RDS(ON) < 55mΩ @ V GS=-4.5V
4
High Power and current ha...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: IRFU5305 (INFIN)
- Корпус: TO251
- Норма упаковки: 3000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO251 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJU55P30 (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| P- | JMPL0648AK (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.