AO3401

Hottech
AO3401 LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES VDS=-30V,RDS(ON)≤50mΩ@VGS=-10V,ID=-4A Low on-resistance For PWM and Load switch applications Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-so...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
AO3401 LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL) FEATURES VDS=-30V,RDS(ON)≤50mΩ@VGS=-10V,ID=-4A Low on-resistance For PWM and Load switch applications Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage TA=25°C Continuous drain current TA=70°C Pulsed drain current TA=25°C Power dissipation TA=70°C Thermal resistance from Junction to ambient Junction temperature Storage temperature Symbol VDS VGS ID IDM PD RθJA TJ TSTG Value -30 ±12 -4 -3.2 -27 1.4 0.9 125 150 -55~+150 Unit V V A A A W W °C/W °C °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Conditions Parameter Symbol Min Typ Max Unit V(BR)DSS* -30 V Drain-Source breakdown voltage VGS=0V, ID=-250μA IDSS* -1 Zero gate voltage drain current uA VDS=-24V, VGS=0V IGSS* ±100 nA VDS=0V, VGS=±12V Gate-body leakage current VGS(th)* -0.7 -0.9 -1.3 V Gate-threshold voltage VDS=VGS, ID=-250μA ID(ON)* -27 A On state drain current VGS=-10V, VDS=-5V 40 50 mΩ VGS=-10V, ID=-1.0A Drain-source on-resistance RDS(ON)* 50 65 mΩ VGS=-4.5V, ID=-1.0A 65 90 mΩ VGS=-2.5V, ID=-1.0A gFS 10 S VDS=-5V, ID=-4.0A Forward transconductance Rg 4 7.8 12 Gate resistance VDS=-0V, VGS=0V, f=1MHz Ω Ciss 645 pF Input capacitance Coss 80 pF VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz Output capacitance pF Crss 55 Reverse transfer capacitance td(on) 6.5 nS Turn-on delay time tr 3.5 nS VGS=-10V,VDS=-15V, Turn-on rise time td(off) 41 nS RGEN=3Ω,RL=3.75Ω Turn-off delay time tf 9 nS Turn-off fall time 7 nC VDS=-15V,VGS=-4.5V,ID=-4A Total gate charge Qg 14 nC Qgs 1.5 nC VDS=-15V,VGS=-10V,ID=-4A Gate-source charge Qgd 2.5 nC Gate-drain charge V -0.7 -1 V IS=-1A, VGS=0V Diode forward voltage SD IS -2 A TC = 25°C Diode forward current trr 11 nS Body Diode Reverse Recovery Time IF=-4A,dI/dt=100A/μs Qrr 3.5 nC Body Diode Reverse Recovery Charge * Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 0.5% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на AO3401 

Subject:

Дата модификации: 29.07.2021

Размер: 691.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)