AO4606

Hottech
AO4606 COMPLEMENTARY MOSFET FEATURES VDS=30V,ID=6A,RDS(ON)≤30mΩ@VGS=10V VDS=-30V,ID=-6.5A,RDS(ON)≤28mΩ@VGS=-10V Low gate charge and Ultra low on-resistance For level shifted high side switch and for a host of other applications. Surface Mount device MECHANICAL DATA  Case: SOP-8  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.3 grams (approximate)  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMTP240C03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ JMTP170C04D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
AO4606 COMPLEMENTARY MOSFET FEATURES VDS=30V,ID=6A,RDS(ON)≤30mΩ@VGS=10V VDS=-30V,ID=-6.5A,RDS(ON)≤28mΩ@VGS=-10V Low gate charge and Ultra low on-resistance For level shifted high side switch and for a host of other applications. Surface Mount device MECHANICAL DATA  Case: SOP-8  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.3 grams (approximate)      SOP-8 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Avalanche current Avalanche energy L=0.1mH TA = 25°C TA = 70°C TA = 25°C TA = 70°C Thermal resistance from Junction to ambient Thermal resistance from Junction to Lead Junction temperature Storage temperature Symbol VDS VGS Max N-channel Max P-channel Unit 30 ±20 6 5 30 10 5 2 1.3 -30 ±20 -6.5 -5.3 -30 23 26 2 1.3 V V A A A A mJ W W °C/W °C/W °C °C ID IDM IAS,IAR EAS,EAR Power dissipation PD RθJA RθJL TJ TSTG 74 32 150 -55 ~+150 N-CHANNEL ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Drain-Source breakdown voltage Zero gate voltage drain current Gate-body leakage current Gate-threshold voltage On-State Drain Current Drain-source on-resistance Forward transconductance Diode forward voltage Diode forward current Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance Gate resistance Total gate charge Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge Turn-on delay time Turn-on rise time Turn-off delay time Turn-off fall time Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge Symbol V(BR)DSS* IDSS* IGSS* VGS(th)* ID(ON) RDS(ON)* gFS VSD IS Ciss Coss Crss Rg Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf trr Qrr *Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 0.5% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD Min 30 1.2 30 Typ Max 1.8 1 ±100 2.4 25 40 33.5 15 0.76 255 45 35 3.25 2.55 5.2 0.85 1.3 4.5 2.5 14.5 3.5 8.5 2.2 30 48 42 1 2.5 310 60 50 4.9 3 6 12 3 Unit V μA μA V A mΩ mΩ mΩ S V A pF pF pF Ω nC nC nC nC nS nS nS nS nS nC E-mail:hkt@heketai.com Conditions VGS=0V, ID=250μA VDS=30V, VGS=0V VDS=0V, VGS=±20V VDS=VGS, ID=250μA VDS=5V, VGS=10V VGS=10V, ID=6A VGS=10V, ID=6A, TJ=125°C VGS=4.5V, ID=5A VDS=5V, ID=6A IS=1A, VGS=0V VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz VGS=4.5V,VDS=15V,ID=6A VGS=10V,VDS=15V,ID=6A VGS=10V, VDS=15V, RGEN=3Ω,RL=2.5Ω IF=6A, dI/dt=100A/μs IF=6A, dI/dt=100A/μs 1 / 10 PDF
Документация на AO4606 

Subject:

Дата модификации: 15.10.2018

Размер: 1.01 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)