FL8205

Hottech
FL8205 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FET FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=20V,ID=5A,RDS(ON)≤24mΩ@VGS=4.5V Low gate charge ESD protected Surface Mount device     TSSOP-8 MECHANICAL DATA  Case: TSSOP-8  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  Weight: not available MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unles...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TSSOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE8205i (NCE)
 
TSSOP-8
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ JMTP9926B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
FL8205 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FET FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=20V,ID=5A,RDS(ON)≤24mΩ@VGS=4.5V Low gate charge ESD protected Surface Mount device     TSSOP-8 MECHANICAL DATA  Case: TSSOP-8  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  Weight: not available MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current TA = 25°C Pulsed drain current(Note 1) Symbol VDS VGS ID IDM PD PD RθJA RθJC TJ,TSTG TA = 25°C TA = 70°C Thermal resistance from Junction to ambient (Note 2) Thermal resistance from Junction to case(Note 2) Junction and Storage temperature Power dissipation Drain-Source breakdown voltage V(BR)DSS* Zero gate voltage drain current IDSS* Gate-body leakage current IGSS* On Characteristics (Note 3) 20 VGS(th)* Drain-source on-resistance RDS(ON)* Forward transconductance On-state Drain Current ID(ON) 15 Diode forward voltage Diode forward current VSD IS 5 Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance Ciss Coss Crss 700 175 85 Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge Turn-on delay time Turn-on rise time Turn-off delay time Turn-off fall time Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf 7 1.2 1.9 8 10 18 5 Drain-Source Diode Characteristics Dynamic Characteristics (Note4) Switching Characteristics (Note 4) Notes: gFS 0.55 17.5 22 10 0.75 20 ±12 V V A A W W °C/W °C/W °C Conditions V μA μA nA VGS=0V, ID=250μA VDS=20V, VGS=0V VDS=20V, VGS=0V,TJ = 55°C VDS=0V, VGS=±12V 0.95 24 32 V mΩ mΩ S A VDS=VGS, ID=250μA VGS=4.5V, ID=5A VGS=2.5V, ID=4A VDS=5V, ID=4.5A VDS=5V,VGS=4.5V 1.2 V A 1 5 ±100 Gate-threshold voltage Unit 5.5 20 2.0 1.6 78 40 -55 ~+150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Min Typ Max Unit Parameter Symbol Off Characteristics Value pF pF pF 10 16 18 29 10 nC nC nC nS nS nS nS IS=4.5A, VGS=0V VDS=10V, VGS=4.5V, f=1MHz VGS=4.5V,VDS=10V,ID=3A VGS=4.5V, VDS=10V, ID=1A,RGEN=6Ω 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. 2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec. 3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%. 4. Guaranteed by design, not subject to production ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на FL8205 

Subject:

Дата модификации: 26.03.2019

Размер: 899.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)