HKTG120N04

Hottech
HKTG120N04 N-CHANNEL Power MOSFET FEATURES  VDS: 40V Max., ID: 120A Max. V,ID=50A  RDS(ON):2.6mΩ(max.)@VGS=10V,  RDS(ON):3.5mΩ(max.)@VGS=4.5V, ID=50A  High density nsity cell design for ultra low on-resistance  Fully characterized avalanche voltage and current MECHANICAL DATA  Case: PDFN5x6  Case material: Molded Plastic. UL U flammability 94V-0  Weight:0.33grams(approximate e) e  Mar...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
HKTG120N04 N-CHANNEL Power MOSFET FEATURES  VDS: 40V Max., ID: 120A Max. V,ID=50A  RDS(ON):2.6mΩ(max.)@VGS=10V,  RDS(ON):3.5mΩ(max.)@VGS=4.5V, ID=50A  High density nsity cell design for ultra low on-resistance  Fully characterized avalanche voltage and current MECHANICAL DATA  Case: PDFN5x6  Case material: Molded Plastic. UL U flammability 94V-0  Weight:0.33grams(approximate e) e  Marking:G120N04 ess otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unle Param meter Symbo bol Value Unit Drain-source voltage VDS 40 V Gate-source voltage VGS ±20 V Continuous drain current ID 120 A Pulsed drain current (Note 1) IDM 360 A Power dissipation PD 110 W Thermal resistance from junction unction to ambient RθJA 20 °C/W Operating junction and storage torage temperature TJ,TSTG -55~+150 °C Single Pulsed Avalanche Energy (note 1) EAS 70 mJ TL 260 °C Lead Temperature for Soldering Purposes (1/8’’ from case for 10s) Note: 1. EAS condition: VDD=20V,L=0.5mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/ 5 PDF
Документация на HKTG120N04 

Subject:

Дата модификации: 21.06.2025

Размер: 1.32 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 июня
    статья

    30 лет на рынке силовой электроники: продукция Hottech для промышленности и электромобилей

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ), Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Shenzhen Hottech Electronics Co., Ltd. (торговая марка HKT) – китайский производитель силовых полупроводников и пассивных компонентов, основанный в 1992 году. Штаб–квартира расположена в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)